[发明专利]一种垂直结构功率器件无效
| 申请号： | 201210220160.8 | 申请日： | 2010-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102738242A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 唐纳德·R·迪斯尼;邢正人 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 徐宏;詹永斌 |
| 地址： | 611731 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 功率 器件 | ||
1.一种垂直结构功率器件，包括：
漏区，所述漏区包括具有第一导电类型的第一半导体材料；
漂移区，所述漂移区与所述漏区邻接且所述漂移区包括n型柱、p型柱和绝缘区，所述n型柱、p型柱和绝缘区相互并列；
过渡区，所述过渡区位于所述漏区和漂移区之间；
体区，所述体区包括具有第二导电类型的第二半导体材料，所述第二导电类型同所述第一导电类型相反，所述体区和所述漏区被所述漂移区隔开；
源区，所述源区具有第一导电类型且位于所述体区内，所述源区同所述漂移区隔开。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，其中所述p型柱具有均匀宽度。
3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，其中所述过渡区包括具有所述第一导电类型的半导体材料。
4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，其中所述过渡区包括具有所述第一导电类型的半导体材料且其掺杂浓度比所述漏区至少低一个数量级。
5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，其中所述第一导电类型为n型，所述第二导电类型为p型。
6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，其中所述器件还包括：
漏极，耦接至所述漏区且位于所述漏区底部；
源极，与所述源区和所述体区耦接。
7.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，其中所述绝缘区包含介质材料。
8.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，其中所述过渡区的厚度在1um到10um之间。
9.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，其中所述过渡区的掺杂浓度为1×1014cm-3到1×1016cm-3之间。
10.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，其中所述漏区的电阻率在0.001Ω/cm到0.1Ω/cm之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都芯源系统有限公司，未经成都芯源系统有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210220160.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
