[发明专利]叠层高熔点焊接层及其制造方法以及半导体器件

权利要求书

1.一种叠层高熔点焊接层，包括：

叠层结构，其层叠多个三层结构，各个三层结构包括低熔点金属薄膜层以及置于所述低熔点金属薄膜层的表面和背面表面上的高熔点金属薄膜层，其中所述多个三层结构中的所述低熔点金属薄膜层的厚度与所述高熔点金属薄膜层的厚度的比率被设定为不大于1:1；

第一高熔点金属层，置于所述叠层结构的表面上；以及

第二高熔点金属层，置于所述叠层结构的背面表面上，其中

所述低熔点金属薄膜层和所述高熔点金属薄膜层通过瞬间液相接合相互熔成合金，并且所述叠层结构以及所述第一高熔点金属层和所述第二高熔点金属层通过瞬间液相接合相互熔成合金。

2.根据权利要求1所述的叠层高熔点焊接层，其中

所述低熔点金属薄膜层由Sn层和Sn-Ag共熔焊料层组成的组中的一个形成，以及

所述高熔点金属薄膜层、所述第一高熔点金属层和所述第二高熔点金属层由Ag层形成。

3.根据权利要求1所述的叠层高熔点焊接层，其中

所述低熔点金属薄膜层由Sn层和Sn-Ag共熔焊料层组成的组中的一个形成，以及

所述高熔点金属薄膜层和所述第一高熔点金属层由Ag层形成，并且所述第二高熔点金属层由Ni层形成。

4.根据权利要求2所述的叠层高熔点焊接层，其中所述Sn-Ag共熔焊料层由96.5±1%的Sn以及3.5±1%的Ag的组分所组成。

5.根据权利要求1所述的叠层高熔点焊接层，其中用于形成瞬间液相接合的温度不小于250摄氏度并且不大于350摄氏度。

6.根据权利要求1所述的叠层高熔点焊接层，进一步包括低熔点粘合剂层，用于覆盖所述第一高熔点金属层和所述第二高熔点金属层两者。

7.根据权利要求6所述的叠层高熔点焊接层，其中所述低熔点粘合剂层由Sn层形成。

8.一种半导体器件，包括：

绝缘衬底；

第一传导金属层，置于所述绝缘衬底上；

第一叠层高熔点焊接层，置于所述第一传导金属层上；以及

半导体器件，置于所述第一叠层高熔点焊接层上，其中

所述第一叠层高熔点焊接层通过瞬间液相接合形成,

其中所述第一叠层高熔点焊接层包括：叠层结构，其层叠多个三层结构，各个三层结构包括低熔点金属薄膜层以及置于所述低熔点金属薄膜层的表面和背面表面上的高熔点金属薄膜层；第一高熔点金属层，置于所述叠层结构的表面上；以及第二高熔点金属层，置于所述叠层结构的背面表面上，并且其中所述多个三层结构中的所述低熔点金属薄膜层的厚度与所述高熔点金属薄膜层的厚度的比率被设定为不大于1:1，

所述低熔点金属薄膜层和所述高熔点金属薄膜层通过瞬间液相接合相互熔成合金，以及

所述叠层结构，以及

所述第一高熔点金属层和所述第二高熔点金属层通过瞬间液相接合相互熔成合金。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中对于所述半导体器件使用带隙能量为1.1 eV至8 eV的半导体。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，进一步包括：

第二传导金属层，置于所述第一传导金属层置于的所述绝缘衬底的表面的相对面的所述绝缘衬底的背面表面上；

第二叠层高熔点焊接层，置于所述绝缘衬底置于的所述第二传导金属层的表面的相对面的所述第二传导金属层的背面表面上；以及

基板，置于所述第二传导金属层置于的所述第二叠层高熔点焊接层的表面的相对面的所述第二叠层高熔点焊接层的背面表面上，其中

所述第二叠层高熔点焊接层由瞬间液相接合形成。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中

所述第二叠层高熔点焊接层包括：叠层结构，其层叠多个三层结构，各个三层结构包括低熔点金属薄膜层以及置于所述低熔点金属薄膜层的表面和背面表面上的高熔点金属薄膜层；第一高熔点金属层，置于所述叠层结构的表面上；以及第二高熔点金属层，置于所述叠层结构的背面表面上，

所述低熔点金属薄膜层和所述高熔点金属薄膜层通过瞬间液相接合相互熔成合金，以及

所述叠层结构以及所述第一高熔点金属层和所述第二高熔点金属层通过瞬间液相接合相互熔成合金。