[发明专利]单向体声波抑制型声表面波器件

权利要求书

1.一种单向体声波抑制型声表面波器件，其特征在于，包括在同一基片材料（1）上制作的输入换能器（2）、多条耦合器（3）、输出换能器（4），其中，多条耦合器（3）的高度等于输入换能器（1）的高度与输出换能器（4）的高度之和，且输入换能器（2）与多条耦合器（3）的上边沿位于同一条直线，输出换能器（4）与多条耦合器（3）的下边沿位于同一条直线，输入换能器（2）的下边沿和输出换能器（4）的上边沿位于同一条直线；所述输入换能器（2）与多条耦合器（3）之间的区域为第一区域（5），所述多条耦合器（3）与输出换能器（4）之间的区域为第二区域（6）。

2.如权利要求1所述的单向体声波抑制型声表面波器件，其特征在于，所述输入叉指换能器（2）与输出叉指换能器（4）采用相同的声孔径，所述声孔径为声波波长值的80倍。

3.如权利要求1所述的单向体声波抑制型声表面波器件，其特征在于，所述的第一区域（5）的长度为1纳米到5厘米。

4.如权利要求3所述的单向体声波抑制型声表面波器件，其特征在于，所述的第一区域（5）的长度为8微米。

5.如权利要求1所述的单向体声波抑制型声表面波器件，其特征在于，所述的第二区域（6）的长度为1纳米到5厘米。

6.如权利要求5所述的单向体声波抑制型声表面波器件，其特征在于，所述的第二区域（6）的长度为5毫米。

7.如权利要求1所述的单向体声波抑制型声表面波器件，其特征在于，所述的输入换能器（2）、输出换能器（4）是单向等叉指换能器或单向变迹换能器。

8.如权利要求1所述的单向体声波抑制型声表面波器件，其特征在于，所述的多条耦合器（3）是全转移多条耦合器。

9.如权利要求1所述的单向体声波抑制型声表面波器件，其特征在于，所述的基片材料（1）为压电晶体。

10.如权利要求9所述的单向体声波抑制型声表面波器件，其特征在于，所述的压电晶体采用128°Y-X LiNbO₃压电晶体。