[发明专利]薄膜晶体管、其制造方法以及使用了该薄膜晶体管的显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，在基板上具备半导体膜、栅电极、源电极、以及漏电极，其特征在于：

所述栅电极、所述源电极以及所述漏电极内的至少1个电极具有包括由铜合金构成的第1电极层和由纯铜构成的第2电极层的2层构造，所述第1电极层的铜合金是针对铜添加了磷和其他元素的铜合金，

所述其他元素是从锰、镁、钙、镍、锌、硅、铝、铍、镓、铟、铁、钛、钒、钴、锆、以及铪内选择的至少1种元素，

所述第1电极层的厚度是10~50nm，

所述第2电极层的厚度是300~600nm，

所述其他元素的浓度与所述第1电极层的厚度之积的范围是50~400at.%·nm，其中，上述浓度的单位是at.%，上述厚度的单位是nm。

2.一种薄膜晶体管，在基板上具备半导体膜、栅电极、源电极、以及漏电极，其特征在于：

所述栅电极、所述源电极以及所述漏电极内的至少1个电极具有包括由铜合金构成的第1电极层、由纯铜构成的第2电极层、以及由铜合金构成的第3电极层的3层构造，

所述第1电极层以及所述第3电极层的铜合金是针对铜添加了磷和其他元素的铜合金，

所述其他元素是从锰、镁、钙、镍、锌、硅、铝、铍、镓、铟、铁、钛、钒、钴、锆、以及铪内选择的至少1种元素，

所述第1电极层以及所述第3电极层的厚度分别是10~100nm，

所述第2电极层的厚度是300~600nm，

所述其他元素的浓度与所述第1电极层以及所述第3电极层的厚度之积的范围分别是50~250at.%·nm，其中，上述浓度的单位是at.%，上述厚度的单位是nm。

3.根据权利要求1或者2所述的薄膜晶体管，其特征在于：

所述铜合金中的磷的浓度是0.01~0.5at.%，

所述铜合金中的其他元素的浓度是2~20at.%。

4.根据权利要求1~3中的任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述其他元素是锰。

5.根据权利要求1~4中的任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述铜合金中的氧浓度小于0.5at.%。

6.根据权利要求1~5中的任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述半导体膜由非晶质硅、多结晶硅、或者微晶硅构成。

7.根据权利要求1~5中的任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述半导体膜由氧化物半导体构成。

8.根据权利要求6或者7所述的薄膜晶体管，其特征在于：在所述半导体膜与所述源电极之间以及所述半导体膜与所述漏电极之间，介有厚度为1~3nm的氧化硅膜。

9.根据权利要求1~8中的任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管是底栅型。

10.根据权利要求1~8中的任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管是顶栅型。

11.一种显示装置，使用了薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管是权利要求1~10中的任意一项所述的薄膜晶体管。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于：所述显示装置是液晶显示装置、有机EL显示装置、或者电子纸显示装置。

13.一种薄膜晶体管的制造方法，包括半导体膜形成工序、栅电极形成工序、以及源/漏电极形成工序，上述薄膜晶体管的制造方法的特征在于：

所述栅电极形成工序以及所述源/漏电极形成工序内的至少1个工序包括形成由铜合金构成的第1电极层的第1电极层形成工序、和形成由纯铜构成的第2电极层的第2电极层形成工序，

所述第1电极层的铜合金是针对铜添加了磷和其他元素的铜合金，

所述其他元素是从锰、镁、钙、镍、锌、硅、铝、铍、镓、铟、铁、钛、钒、钴、锆、以及铪内选择的至少1种元素，

所述第1电极层形成工序是使所述第1电极层的厚度成为10~50nm，使所述其他元素的浓度与所述第1电极层的厚度之积的范围成为50~400at.%·nm的成膜的工序，其中，上述浓度的单位是at.%，上述厚度的单位是nm，

所述第2电极层形成工序是使所述第2电极层的厚度成为300~600nm的成膜的工序。