[发明专利]形成倾斜结构的方法、有机发光显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种在绝缘层上形成倾斜结构的方法，所述方法包括：

在第一绝缘膜上形成第一凹槽；

在具有所述第一凹槽的所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；

在所述第二绝缘膜上形成第二凹槽；以及

通过对所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜执行回流工艺，从所述第一凹槽和所述第二凹槽形成所述倾斜结构。

2.根据权利要求1所述的在绝缘层上形成倾斜结构的方法，其中所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜中的每个包括从由有机材料、硅的化合物、金属和金属氧化物组成的组中选择的至少一种。

3.根据权利要求2所述的在绝缘层上形成倾斜结构的方法，其中所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜中的每个包括从由光刻胶、丙烯酰基类聚合物、聚酰亚胺类聚合物、聚酰胺类聚合物、硅氧烷类聚合物、包含光敏丙烯酰基羧基的聚合物、酚醛树脂、碱溶性树脂、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氧化物、硅碳氮化物、铝、镁、锌、铪、锆、钛、钽、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物、镁氧化物、锌氧化物、铪氧化物和锆氧化物组成的组中选择的至少一种。

4.根据权利要求1所述的在绝缘层上形成倾斜结构的方法，其中所述第一凹槽和所述第二凹槽中的每个是使用具有挡光区和半透射区的掩膜形成的。

5.根据权利要求1所述的在绝缘层上形成倾斜结构的方法，其中所述第一凹槽具有大于所述第二凹槽的深度的深度，所述第二凹槽具有大于所述第一凹槽的宽度的宽度。

6.根据权利要求1所述的在绝缘层上形成倾斜结构的方法，还包括在形成所述第一凹槽以后，对所述第一凹槽的侧壁和底部执行表面处理工艺。

7.根据权利要求1所述的在绝缘层上形成倾斜结构的方法，其中所述回流工艺是在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的熔点的50%到80%范围内的温度下执行的。

8.根据权利要求1所述的在绝缘层上形成倾斜结构的方法，其中所述倾斜结构具有凹陷的形状或突出的形状。

9.根据权利要求8所述的在绝缘层上形成倾斜结构的方法，其中所述倾斜结构的侧壁的倾斜角和所述第一凹槽的侧壁和所述第二凹槽的侧壁的倾斜角之间的比率处于1.0:0.2到1.0:1.8的范围内。

10.一种有机发光显示装置，包括：

第一基板；

位于所述第一基板上的绝缘层，所述绝缘层包括倾斜结构；

位于所述绝缘层上的第一电极；

位于所述绝缘层和所述第一电极上的像素限定层，所述像素限定层限定发光区和非发光区；

位于所述发光区中的所述第一电极上的有机发光结构；

位于所述像素限定层和所述有机发光结构上的第二电极；以及

位于所述第二电极上的第二基板。

11.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，其中所述像素限定层在设置在所述倾斜结构的侧壁上的所述第一电极上延伸。

12.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，其中所述像素限定层在设置在所述倾斜结构的上表面上的所述第一电极上延伸，并且所述像素限定层具有暴露所述发光区中的所述第一电极的开口。

13.根据权利要求12所述的有机发光显示装置，其中所述有机发光结构布置在所述像素限定层的所述开口内。

14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，其中所述有机发光结构的侧壁具有相对于与所述第一基板平行的方向110°到160°的倾斜角。

15.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，其中所述倾斜结构的侧壁具有相对于与所述第一基板平行的方向20°到70°的倾斜角。

16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中所述第一电极在所述倾斜结构上的侧向部分和所述第二电极在所述倾斜结构上的侧向部分中的每个具有与所述倾斜结构的所述侧壁的倾斜角相同的倾斜角。

17.根据权利要求10所述的有机发光显示装置，其中所述绝缘层具有在所述倾斜结构上的多个突起。

18.根据权利要求17所述的有机发光显示装置，其中所述第一电极具有分别形成在所述多个突起上的多个突出部分。