[发明专利]一种阵列基板、液晶显示装置及阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括存储电极层，其特征在于，所述存储电极层表面依次铺设有绝缘层和透明电极层。

2.如权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括与存储电极层并列设置的闸极电极层，所述闸极电极层上方依次设有绝缘层和有源层，所述有源层上方铺设有源极电极层和漏极电极层，所述漏极电极层的一端跟所述透明电极层的一端电连接。

3.如权利要求1所述的一种阵列基板，其特征在于，所述有源层包括依次铺设在绝缘层上的a-Si层和n+a-Si层，所述n+a-Si层上面铺设有源极电极层和所述漏极电极层，所述源极电极层和漏极电极层之间设有导电沟道，所述导电沟道贯穿所述n+a-Si层，所述源极电极层、漏极电极层、导电沟道及所述透明电极层表面铺设有保护层。

4.如权利要求1～3任一所述的一种阵列基板，其特征在于，所述透明电极层为氧化铟锡材料的透明电极层。

5.一种液晶显示装置，包括如权利要求1～4任一所述的一种阵列基板。

6.一种阵列基板的制造方法，包括步骤：

A：在玻璃基材上形成TFT的闸极电极层，以及存储电极层，然后在闸极电极层和存储电极层上面铺设绝缘层；

B：在存储电极层对应区域的绝缘层上形成透明电极层。

C：制作完成TFT的源极电极层、漏极电极层、导电沟道。

7.如权利要求6所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤B中包括以下步骤：

B1：在绝缘层上依次铺设a-Si层和n+a-Si层；

B2：在n+a-Si层上铺设光刻胶，通过曝光显影，去除存储电极层对应区域的光刻胶；

B3：蚀刻掉存储电极层对应区域的的a-Si层和n+a-Si层；

B4：在光刻胶及存储电极层对应区域的绝缘层表面铺设透明导电材料，然后剥离剩余的光刻胶及其表面的透明导电材料，剩余的透明导电材料在存储电极层对应区域的绝缘层上形成所述透明电极层。

8.如权利要求6所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤B中包括以下步骤：

B1：在绝缘层上铺设透明导电材料；

B2：在透明导电材料上铺设光刻胶，通过曝光显影，形成透明电极图案；

B3：蚀刻掉透明电极图案以外的透明导电材料；

B4：在透明电极图案和绝缘层表面依次铺设a-Si层和n+a-Si层；

B5：剥离剩余的光刻胶，裸露的透明导电材料形成所述透明电极层。

9.如权利要求7或8所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤C中包括以下步骤：

C1：在阵列基板表面铺设金属导电层，覆盖透明电极层和n+a-Si层；

C2：在金属导电层表面铺设光刻胶，通过曝光、显影形成TFT的源极图案和漏极图案，所述漏极图案覆盖所述透明电极层的一端；

C3：蚀刻金属导电层，形成TFT的源极电极层和漏极电极层；

C4：完全蚀刻掉源极电极层和漏极电极层之间裸露的n+a-Si层材料，形成导电沟道；

C5：在所述源极电极层、漏极电极层、导电沟道和透明电极层表面铺设保护层。

10.如权利要求6～9任一所述的一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述透明电极层采用氧化铟锡材料。