[发明专利]RFID系统中的发射器及包含所述发射器的收发器

权利要求书

1. 一种RFID系统中的发射器，其特征在于，所述发射器包含：

一信号产生器，其具有一PIN二极管且产生一第一信号；

一方向单元，其连接至所述PIN二极管的一阴极；及

一天线，其连接至所述方向单元，其中

所述信号产生器包含一第一终端，其用于接收一第一控制信号来控制所述第一信号的一频带，及一第二终端，其用于接收一第二控制信号来控制所述第一信号的一调变深度。

2.根据权利要求1所述的RFID系统中的发射器，其特征在于，所述信号产生器包含一放大器，其具有连接至所述PIN二极管的一阳极的一输出端。

3.根据权利要求2所述的RFID系统中的发射器，其特征在于，所述信号产生器包含：

一载波产生器，其连接至所述放大器的一输入端；及

一偏压电路，其具有连接至所述第一终端的一第一埠、连接至所述PIN二极管的所述阳极与所述放大器的所述输出端的一第二埠、及连接至所述PIN二极管的一阴极的一第三埠。

4.根据权利要求3所述的RFID系统中的发射器，其特征在于，所述偏压电路另包含连接至所述第二终端的一第四埠。

5.根据权利要求4所述的RFID系统中的发射器，其特征在于，所述偏压电路另包含：

一可变电阻器，其被提供有一电压位准；

一开关，其串联连接至所述可变电阻器，且电性耦合至所述偏压电路的所述第一终端；

一第一电阻器，其并联连接至所述开关；

一第二电阻器，其串联连接至所述第一电阻器；

一第一电感器，其具有连接至所述第二电阻器的一第一终端，及电性耦合至所述偏压电路的所述第二埠的一第二终端；及

一第二电感器，其具有电性耦合至所述偏压电路的所述第三埠的一第一终端与一第二终端，其中所述第二终端被接地。

6.根据权利要求5所述的RFID系统中的发射器，其特征在于，所述偏压电路另包含一晶体管，其具有电性耦合至所述偏压电路的所述第四埠的一第一终端、一第二终端与一第三终端，其中所述第二电阻器连接于所述第二与第三终端之间。

7.根据权利要求6所述的RFID系统中的发射器，其特征在于，所述晶体管为一互补式金属氧化物半导体(CMOS)晶体管。

8.一种RFID系统中的发射器，其特征在于，所述发射器包含：

一信号产生器，其包含：

一载波产生器；

一放大器，用于接收来自所述载波产生器的一载波信号；

一PIN二极管，其具有连接至所述放大器的一输出端的一阳极；及

一偏压电路，其具有一第一终端用于接收一第一控制信号来控制所述载波信号的一频带、一连接至所述PIN二极管的一阳极与所述放大器的所述输出端的第二终端、及一连接至所述PIN二极管的一阴极的第三终端；及

一方向单元，其连接至所述PIN二极管的所述阴极。

9.根据权利要求8所述的RFID系统中的发射器，其特征在于，所述偏压电路另包含一第四终端，用于接收一第二控制信号来控制所述载波信号的一调变深度。

10.根据权利要求9所述的RFID系统中的发射器，其特征在于，所述偏压电路另包含：

一可变电阻器，其被提供有一电压位准；

一开关，其串联连接至所述可变电阻器，且电性耦合至所述偏压电路的所述第一终端；

一第一电阻器，其并联连接至所述开关；

一第二电阻器，其串联连接至所述第一电阻器；

一第一电感器，其具有连接至所述第二电阻器的一第一终端，及电性耦合至所述偏压电路的所述第二终端的一第二终端；及

一第二电感器，其具有电性耦合至所述偏压电路的所述第三终端的一第一终端与一第二终端，其中所述第二终端被接地。

11.根据权利要求10所述的RFID系统中的发射器，其特征在于，所述偏压电路另包含一晶体管，其具有电性耦合至所述偏压电路的所述第四终端的一第一终端、一第二终端与一第三终端，其中所述第二电阻器连接于所述第二与第三终端之间。

12.根据权利要求11所述的RFID系统中的发射器，其特征在于，所述晶体管为一互补式金属氧化物半导体(CMOS)晶体管。