[发明专利]双极性薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种双极性薄膜晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

栅电极，位于在所述衬底上；

第一绝缘介质层，位于所述栅电极上；

金属氧化物半导体有源区，位于所述第一绝缘介质层上并暴露出所述第一绝缘介质层的顶部边缘；

第二绝缘介质层，位于所述金属氧化物半导体有源区上；

源极和漏极，覆盖所述金属氧化物半导体有源区以及第二绝缘介质层的侧壁，底部延伸并覆盖暴露出的部分所述第一绝缘介质层的顶部边缘，顶部延伸并覆盖所述第二绝缘介质层顶部边缘；

有机半导体有源区，与所述金属氧化物半导体有源区的导电类型相反，覆盖在所述第二绝缘介质层、源极和漏极的顶部。

2.如权利要求1所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底为刚性衬底或柔性衬底。

3.如权利要求1所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，所述栅电极的材料包括ITO、Mo、Al、Cu中的至少一种。

4.如权利要求1所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，所述第一绝缘介质层和第二绝缘介质层为SiO₂、SiN或Al₂O₃。

5.如权利要求1所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体有源区的导电类型为N型，所述有机半导体有源区的导电类型为P型。

6.如权利要求1所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体有源区的材质为ZnO、ZO或IGZO。

7.如权利要求1所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，所述有机半导体有源区的材质为戊烷。

8.如权利要求1所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，所述源极和漏极为单层结构或双层复合结构。

9.如权利要求1所述的双极性薄膜晶体管，其特征在于，当栅电极和源极间的电压和漏极和源极之间的电压为正向偏置电压时，所述双极性薄膜晶体管为N型薄膜晶体管；当栅电极和源极间的电压和漏极和源极之间的电压为反向偏置电压时，所述双极性薄膜晶体管为P型薄膜晶体管。

10.一种权利要求1至9中任一项所述的双极性薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，并在所述衬底上形成栅电极；

在所述栅电极上形成第一绝缘介质层；

在所述第一绝缘介质层上形成金属氧化物层，刻蚀形成金属氧化物半导体有源区，所述金属氧化物半导体有源区暴露出所述第一绝缘介质层的顶部边缘；

在所述金属氧化物半导体有源区上形成第二绝缘介质层；

在所述第二绝缘介质层和金属氧化物半导体有源区侧壁上形成源极和漏极，所述源极和漏极顶部覆盖所述第二绝缘介质层顶部边缘，底部覆盖暴露出的部分所述第一绝缘介质层的顶部边缘；

在所述第二绝缘介质层、源极和漏极的顶部形成与所述金属氧化物半导体有源区的导电类型相反的有机半导体有源区。