[发明专利]固态图像传感装置和电子设备有效
申请号: | 201210225063.8 | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN102867836B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 萩原浩树;笹野启二;田中弘明;辻裕树;渡部刚;土屋光司;田中宪三;和田隆哉;川畑升;吉田广和;横山裕纪 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225;H05K1/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 图像 传感 装置 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及固态图像传感装置和电子设备。
背景技术
诸如数码照相机和数码摄像机的电子设备包括固态图像传感(solid-state image sensing)装置。固态图像传感装置包括图像传感器芯片,在传感器芯片中具有矩阵形式的多个像素的图像传感区域提供在半导体基板的表面上。图像传感器芯片的示例例如包括CCD(电荷耦合器件)图像传感器芯片和CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器芯片。
在图像传感器芯片中,多个像素的每个都具有光电转换部分。光电转换部分例如为光敏二极管,光敏二极管在其光接收表面接收通过外部光学系统入射的光,并且将其光电转换而产生信号电荷。然后,固态图像传感装置对从图像传感器芯片输出的输出信号实施信号处理。
同时,人们要求固态图像传感装置的小型化。为此,提出了这样一种固态图像传感装置,其中图像传感器芯片和对输出信号实施信号处理的信号处理芯片二者安装在相同的多层配线封装体中(例如,见日本专利No.3417225(图1等)和日本专利特开No.2010-238821(图2等))。
发明内容
然而,在上面的固态图像传感装置中,可能难于改善各种特性,例如,捕获图像的图像质量。
本发明考虑到上面的情况而作出,因此希望提供能够改善诸如捕获图像的图像质量的各种特性的固态图像传感装置和电子设备。
根据本发明实施例的固态图像传感装置和电子设备的每个包括固态图像传感器件、信号处理电路器件和多层配线封装体。固态图像传感器件在其图像传感区域中具有像素。像素构造为接收入射光且产生信号电荷。信号处理电路器件布置为面对固态图像传感器件的图像传感区域,并且构造为对从固态图像传感器件输出的信号实施信号处理。多层配线封装体中提供有多个配线层,并且固态图像传感器件和信号处理电路器件提供在多层配线封装体中。多个配线层的每个隔着绝缘体层叠。多层配线封装形成为:在多个配线层中,提供在固态图像传感器件和信号处理电路器件之间的第一配线层的厚度大于第一配线层之外的第二配线层的厚度,并且第一配线层的导热率高于或等于第二配线层的导热率。
根据本发明另一个实施例的固态图像传感装置和电子设备的每个包括固态图像传感器件、信号处理电路器件和多层配线封装体。固态图像传感器件在其图像传感区域中具有像素。像素构造为接收入射光且产生信号电荷。信号处理电路器件布置为面对固态图像传感器件的图像传感区域,并且构造为对从固态图像传感器件输出的信号实施信号处理。多层配线封装体中提供有多个配线层,并且固态图像传感器件和信号处理电路器件提供在多层配线封装体中。多个配线层的每个隔着绝缘体层叠。多层配线封装体形成为:在多个配线层中,提供在固态图像传感器件和信号处理电路器件之间的第一配线层的厚度大于或等于第一配线层之外的第二配线层的厚度,并且第一配线层的导热率高于第二配线层的导热率。
在根据本发明实施例的固态图像传感装置和电子设备中,固态图像传感器件或信号处理电路器件产生的热量传递到固态图像传感器件和信号处理电路器件之间提供的第一配线层且散发到外部。因此,能够减少传递到固态图像传感器件的图像传感区域的热量,并且减少暗电流的发生。
根据本发明的实施例,能够提供可改善诸如捕获图像的图像质量的各种特性的固态图像传感装置和电子设备。
结合下面详细描述的如附图所示的优选实施方式,本发明的这些和其他的目标、特征和优点将变得更加明显易懂。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的照相机构造的构造示意图;
图2A至2C是示出根据第一实施例的固态图像传感装置构造的示意图;
图3是示出根据第一实施例的图像传感器芯片主要部分的示意图;
图4是示出根据第一实施例的图像传感器芯片主要部分的示意图;
图5是示出根据第一实施例的滤色器的示意图;
图6是根据第一实施例的固态图像传感装置的放大截面图;
图7是根据第一实施例的固态图像传感装置的放大截面图;
图8是示意性地示出根据第一实施例的固态图像传感装置中热量传递的放大图;
图9是示意性地示出根据第一实施例的固态图像传感装置中热量传递的放大图;
图10是根据第二实施例的固态图像传感装置的放大截面图;
图11是根据第二实施例的固态图像传感装置的放大截面图;
图12是示意性地示出根据第二实施例的固态图像传感装置中热量传递的放大图;
图13A至13C是示出根据第三实施例的固态图像传感装置构造的示意图;
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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