[发明专利]固态成像器件和电子装置在审
申请号: | 201210225064.2 | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN102868864A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 畑野启介;户田淳 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H04N5/335 | 分类号: | H04N5/335;H04N9/04;H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 曲莹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 器件 电子 装置 | ||
1.一种固态成像器件,包括:
多个光电转换区域,层叠在每个像素的半导体基板内的不同深度处,以光电地转换不同波长带域的光;和
释放区域,形成在沿所述半导体基板的深度方向彼此相邻的光电转换区域之间,以释放在其间的区域中通过光电转换生成的电荷。
2.如权利要求1所述的固态成像器件,
其中,所述释放区域还形成在所述半导体基板的光入射面与形成在最靠近所述半导体基板的光入射面的位置处的光电转换区域之间,以释放在该区域通过光电转换生成的电荷。
3.如权利要求1所述的固态成像器件,
其中,所述释放区域还形成在比形成于距所述半导体基板的光入射面最深位置处的光电转换区域更深的位置处,以释放在该区域中通过光电转换生成的电荷。
4.如权利要求1所述的固态成像器件,
其中,所述光电转换区域由第一导电型的半导体层形成;
其中,在所述多个光电转换区域之间形成第二导电型的半导体层,以绝缘隔离所述多个光电转换区域;
其中,所述释放区域由介于第二导电型的半导体层之间的第一导电型的半导体层形成,并连接至预定电源电压。
5.如权利要求1所述的固态成像器件,
其中,光电地转换第一和第二波长带域的光的光电转换区域在所述半导体基板内层叠为两层;
其中,在所述半导体基板的光入射面上方形成光电地转换第三波长带域的光的光电转换单元。
6.如权利要求5所述的固态成像器件,
其中,在所述半导体基板内层叠为两层的光电转换区域中,形成在更靠近所述半导体基板的光入射面的层中的光电转换区域光电地转换蓝色波长带域的光,而形成在较深的层中的光电转换区域光电地转换红色波长带域的光,并且形成在所述半导体基板的光入射面上方的光电转换单元光电地转换绿色波长带域的光。
7.如权利要求6所述的固态成像器件,
其中,形成于在所述半导体基板内层叠为两层的光电转换区域之间的释放区域连接至输出来自所述光电转换单元的信号的输出单元。
8.如权利要求5所述的固态成像器件,
其中,在所述半导体基板内层叠为两层的光电转换区域中,形成在更靠近所述半导体基板的光入射面的层中的光电转换区域光电地转换绿色波长带域的光,而形成在较深的层中的光电转换区域光电地转换红色波长带域的光,并且形成在所述半导体基板的光入射面上方的光电转换单元光电地转换蓝色波长带域的光。
9.如权利要求8所述的固态成像器件,
其中,形成在所述半导体基板的基板表面与形成于更靠近所述半导体基板的光入射面的层中的光电转换区域之间的释放区域连接至输出来自所述光电转换单元的信号的输出单元。
10.如权利要求5所述的固态成像器件,
其中,在所述半导体基板内层叠为两层的光电转换区域中,形成在更靠近所述半导体基板的光入射面的层中的光电转换区域光电地转换蓝色波长带域的光,而形成在较深的层中的光电转换区域光电地转换绿色波长带域的光,并且形成在所述半导体基板的光入射面上方的光电转换单元光电地转换红色波长带域的光。
11.如权利要求10所述的固态成像器件,
其中,形成在比形成于距所述半导体基板的光入射面最深的层中的光电转换区域更深的位置处的释放区域连接至输出来自所述光电转换单元的信号的输出单元。
12.如权利要求1所述的固态成像器件,
其中,形成在距所述半导体基板的光入射面最深的层中的光电转换区域光电地转换红外波长带域的光。
13.如权利要求1所述的固态成像器件,还包括:
在所述半导体基板的光入射面上方形成至少一种补色滤光器。
14.如权利要求12所述的固态成像器件,
其中,所述补色滤光器是绛红色滤光器。
15.一种电子装置,包括固态成像器件,所述固态成像器件包括:
多个光电转换区域,层叠在每个像素的半导体基板内的不同深度处,以光电地转换不同波长带域的光;和
释放区域,形成在沿所述半导体基板的深度方向彼此相邻的光电转换区域之间,以释放在其间的区域中通过光电转换生成的电荷。
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