[发明专利]用于改进基板可重用性的边缘排除剥离方法

权利要求书

1.一种从基底基板移除材料层的方法，包括：

在基底基板的上表面上并且靠近所述基底基板的边缘形成边缘排除材料；

在所述基底基板的所述上表面的暴露部分上以及所述边缘排除材料的顶上形成应力施加层；以及

剥离基底基板的位于所述应力施加层下方并且没有被所述边缘排除材料覆盖的部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底基板的断裂韧度小于所述应力施加层的断裂韧度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述基底基板包括半导体材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述应力施加层具有临界厚度和应力值，所述临界厚度和应力值导致在所述基底基板的位于所述应力施加层下方并且没有被所述边缘排除材料覆盖的部分中发生剥离模式断裂。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述应力施加层与所述基底基板之间形成包含金属的粘合层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述应力施加层包括金属、聚合物、诱导剥离带或者其任意组合。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述应力施加层的顶上形成处理基板。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述剥离在室温或者低于室温的温度执行。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述剥离在77K或者更低的温度执行。

10.根据权利要求1所述的方法，还包括从所述基底基板的剥离部分移除所述应力施加层和所述边缘排除材料。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述移除包括使所述应力施加层和所述边缘排除材料与化学蚀刻剂接触。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述边缘排除材料包括光致抗蚀剂材料、聚合物、碳氢化合物材料、墨、金属或者糊状物。

13.一种从基底基板移除材料层的方法，包括：

在基底基板的上表面的一部分上形成图案化应力施加层，其中所述基底基板的边缘被暴露；以及

剥离所述基底基板的位于所述图案化应力施加层下方的部分。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述基底基板的断裂韧度小于所述应力施加层的断裂韧度。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述基底基板包括半导体材料。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述图案化应力施加层具有临界厚度和应力值，所述临界厚度和应力值导致在所述基底基板的位于所述图案化应力施加层下方的部分中发生剥离模式断裂。

17.根据权利要求13所述的方法，还包括在所述图案化应力施加层与所述基底基板之间形成图案化的包含金属的粘合层。

18.根据权利要求13所述的方法，其中通过首先将图案化掩模提供至所述基底基板的边缘然后在所述基底基板的不包括所述图案化掩模的暴露部分的顶上选择性地形成应力施加材料而形成所述图案化应力施加层。

19.根据权利要求13所述的方法，其中所述图案化应力施加层包括金属、聚合物、诱导剥离带或者其任意组合。

20.根据权利要求13所述的方法，还包括在所述应力施加层的顶上形成处理基板。

21.根据权利要求13所述的方法，其中所述剥离在室温或者低于室温的温度执行。

22.根据权利要求13所述的方法，其中所述剥离在77K或者更低的温度执行。

23.根据权利要求13所述的方法，还包括从所述基底基板的剥离部分移除所述图案化应力施加层。

24.根据权利要求23所述的方法，其中所述移除包括使所述图案化应力施加层与化学蚀刻剂接触。