[发明专利]一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置，其特征在于：包括：

衬底层，为半导体材料构成；

漂移层，为第一导电半导体材料，位于衬底层之上；多个

沟槽，位于漂移层中，沟槽内填充第二导电半导体材料，沟槽内填充第二导电半导体材料表面低于漂移层表面，沟槽侧壁具有绝缘材料层将第一导电半导体材料与第二导电半导体材料进行隔离，第一导电半导体材料上表面设置绝缘材料层；

第二类型肖特基势垒结或欧姆接触区，位于第二导电半导体材料上表面；

第一类型肖特基势垒结，位于第一导电半导体材料上部侧壁表面；

上下表面金属层，位于半导体装置上下表面，其中上表面金属层填充沟槽内上部和覆盖第一导电半导体材料上表面绝缘材料层，连接第一类型肖特基势垒结和第二导电半导体材料上表面。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的衬底层为高浓度杂质掺杂的半导体材料层和低浓度杂质掺杂的半导体材料层的叠加层。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽延伸到衬底层中。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的沟槽内填充第二导电半导体材料的长度占据沟槽长度的一半以上。

5.如权利要求1所述的一种具有电荷补偿沟槽肖特基半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在衬底层表面形成第一导电半导体材料层，然后在第一导电半导体材料层表面形成一种绝缘材料层；

2)进行光刻腐蚀工艺去除表面部分绝缘材料层，然后刻蚀去除部分裸露半导体材料形成沟槽；

3)在沟槽内形成绝缘材料层，反刻蚀去除沟槽底部绝缘材料层，然后在沟槽内形成第二导电半导体材料，进行反刻蚀，实现沟槽内第二导电半导体材料表面低于第一导电半导体材料层表面；

4)去除在第一导电半导体材料上部侧壁表面绝缘材料层，保留在第一导电半导体材料上表面绝缘材料层；

5)淀积势垒金属，进行烧结形成第一导电半导体材料上部侧壁表面第一类型肖特基势垒结和第二导电半导体材料上表面第二类型肖特基势垒结或欧姆接触区；

6)在上表面和沟槽内上部淀积金属形成上表面金属层，进行背面金属化工艺，在背面形成下表面金属层。