[发明专利]一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法有效

专利信息
申请号: 201210225808.0 申请日: 2012-07-03
公开(公告)号: CN102768969A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 王洲男;龙吟;倪棋梁;陈宏璘;郭明升 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 王敏杰
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 缺陷 扫描 中的 光斑 抑制 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法。

背景技术

随着集成电路工艺的发展以及关键尺寸不断缩小,工厂需要引入更加先进、更加昂贵的缺陷检测设备,以满足对在线工艺步骤品质监控的要求。其中,亮场缺陷检测就是应用最为广泛并且有着很高灵敏度的一类机台。

由于在生产过程中,半导体器件表面上的图形会随着不同的制程而不断变化着形貌,在某些表面图形的特殊影响下就出现了光斑抑制问题;图1是本发明背景技术中缺陷检查时形成光斑的示意图,如图1所示,由于芯片1的表面上部分图形11对机台入射光的反射形成有规律的光波叠加12形成光斑13,从而影响了正常的反射光收集,降低了扫描灵敏度。

目前,业界对于光斑问题是被动的做出一系列的光斑阻挡层,即事先分析可能出现的光斑形状,然后制作相对应的光斑阻挡,最后再实际应用于生产中,这种方法虽然可以良好的抑制一些类型的光斑,但随着半导体尺寸以及技术的不断发展,可能出现的光斑形态是无法预知的,所以,设计制作一种新的光斑分析及阻挡系统是亮场半导体缺陷扫描机台的迫切需要。

发明内容

本发明公开了一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法,其中,包括以下步骤:

步骤S1:制备一要进行缺陷扫描的半导体器件,对所述半导体器件在亮场缺陷检测机台上产生的光斑进行信息的采集和分析;

步骤S2:将采集到的光斑的信息转化为光斑图形;

步骤S3:根据所述光斑图形,描绘出光斑阻挡形状;

步骤S4:根据所述光斑阻挡形状,生成光斑阻挡板,并利用该光斑阻挡板对所述半导体器件进行缺陷检测工艺。

上述的平板亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法,其中,所述步骤S1中采用光斑分析系统对所述半导体器件在亮场缺陷检测机台上产生的光斑进行信息的采集和分析。

上述的平板亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法,其中,所述步骤S2中采用光斑图形转化系统将采集到的光斑的信息转化为光斑图形。

上述的平板亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法,其中,所述步骤S3中利用自定义光斑阻挡设计系统描绘出光斑阻挡形状。

上述的平板亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法,其中,所述步骤S4中通过自动光斑阻挡生成装置生成光斑阻挡板。

综上所述,由于采用了上述技术方案,本发明提出一种亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法,通过实时的对进行缺陷扫描的半导体器件产生的光斑进行收集和分析后,并将该实时光斑信息及时的转化为光斑图形,并根据该光斑图形制备匹配形状的光斑阻挡板,根据该光斑阻挡板进行缺陷检测工艺;这样能有效避免因产生预料之外的光斑图形对工艺进度的影响,进而有效的抑制光斑对缺陷检测工艺的影响,极大的提高扫描质量,从而保证机台的扫描灵敏度。

附图说明

图1是本发明背景技术中缺陷检查时形成光斑的示意图;

图2-4是本发明亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法实施例的流程结构示意图;

图5是未采用本发明亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法进行缺陷检测工艺的半导体器件表面反射图形的示意图;

图6是采用本发明亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法进行缺陷检测工艺的半导体器件表面反射图形的示意图。

具体实施方式  

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明:

图2-4是本发明亮场缺陷扫描中的光斑抑制方法实施例的流程结构示意图。

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