[发明专利]新型单晶炉热场、拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场无效
| 申请号： | 201210225961.3 | 申请日： | 2012-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN103510154A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 韩建超;沈杨宇 | 申请（专利权）人： | 上海合晶硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 201617 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 单晶炉热场 拉制 轻掺硅单晶棒 | ||
1.新型单晶炉热场，包括导流筒；其特征在于，所述导流筒表面设置有碳化硅涂层。
2.根据权利要求1所述的新型单晶炉热场，其特征在于，所述导流筒包括相互连接的内导流筒和外导流筒；内导流筒设置在外导流筒内，内导流筒与外导流筒之间具有间隙，所述间隙内设置有保温材料。
3.根据权利要求1所述的新型单晶炉热场，其特征在于，还包括保温筒，保温筒内设置有加热器，加热器围绕石墨坩埚设置，石墨坩埚内设置有石英坩埚；所述导流筒设置于石英坩埚上方。
4.拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场，其特征在于，包括导流筒，所述导流筒表面设置有碳化硅涂层。
5.根据权利要求4所述的拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场，其特征在于，所述导流筒包括相互连接的内导流筒和外导流筒；内导流筒设置在外导流筒内，内导流筒与外导流筒之间具有间隙，所述间隙内设置有保温材料。
6.根据权利要求4所述的拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场，其特征在于，所述轻掺硅单晶棒电阻率为0.1-100Ω·cm。
7.根据权利要求4所述的拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场，其特征在于，还包括保温筒，保温筒内设置有加热器，加热器围绕石墨坩埚设置，石墨坩埚内设置有石英坩埚；所述导流筒设置于石英坩埚上方。
8.根据权利要求4所述的拉制轻掺硅单晶棒的新型单晶炉热场，其特征在于，所述硅单晶晶向为<100>。
9.一种可减少N型轻掺硅单晶OISF的新型单晶炉热场，其特征在于，包括导流筒，所述导流筒表面设置有碳化硅涂层。
10.根据权利要求9所述的可减少N型轻掺硅单晶OISF的新型单晶炉热场，其特征在于，所述导流筒包括相互连接的内导流筒和外导流筒；内导流筒设置在外导流筒内，内导流筒与外导流筒之间具有间隙，所述间隙内设置有保温材料。
11.根据权利要求9所述的可减少N型轻掺单晶OISF的新型单晶炉热场，其特征在于，所述轻掺单晶电阻率为0.1-100Ω·cm。
12.根据权利要求9所述的可减少N型轻掺单晶OISF的新型单晶炉热场，其特征在于，所述的OISF小于等于100个/cm2。
13.根据权利要求9所述的可减少N型轻掺单晶OISF的新型单晶炉热场，其特征在于，还包括保温筒，保温筒内设置有加热器，加热器围绕石墨坩埚设置，石墨坩埚内设置有石英坩埚；所述导流筒设置于石英坩埚上方。
14.根据权利要求9所述的可减少N型轻掺单晶OISF的新型单晶炉热场，其特征在于，所述硅单晶晶向为<100>。
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