[发明专利]一种MOS晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

a)在半导体衬底中形成L形的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁的一条边在所述半导体衬底中分别水平地沿相反的方向延伸，所述第一侧壁和所述第二侧壁的另一条边在所述半导体衬底中竖直地向下延伸，其中所述第一侧壁和所述第二侧壁不接触所述半导体衬底的表面；

b)在所述第一侧壁和所述第二侧壁之间的中间区域的正上方上形成栅极；以及

c)在所述第一侧壁和所述第二侧壁的外侧的所述半导体衬底中分别形成源极和漏极，所述第一侧壁和所述第二侧壁增加所述源极和漏极之间的距离，并隔离所述源极和漏极，

其中，所述a)步骤包括：提供基底；

在所述基底上依次形成氧化物层和保护层；

对所述保护层、所述氧化物层和所述基底进行刻蚀，以形成开口；

在所述开口两侧的侧壁上分别形成侧壁氧化物层；

去除所述保护层；

在所述开口中形成填满所述开口的半导体材料；以及

在所述基底上形成覆盖层，所述覆盖层覆盖所述中间区域，并且还对称地覆盖所述中间区域两侧的部分的所述氧化物层，其中由所述覆盖层覆盖的所述氧化物层和所述侧壁氧化物层一起构成所述第一侧壁和所述第二侧壁。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括在所述栅极两侧的所述覆盖层中形成浅掺杂区。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述基底中至少形成所述MOS晶体管的区域是由硅形成的。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述侧壁氧化物层是采用热氧化法形成的氧化硅层。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述开口中填满的所述半导体材料是采用外延生长法形成的硅。

6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述覆盖层是采用外延侧向过生长法形成的硅。

7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述b)步骤包括：

在所述半导体衬底上依次形成栅氧化物层和栅极材料层；

对所述栅极材料层和所述栅氧化物层进行刻蚀，以在所述覆盖层的正上方形成所述栅极，其中所述栅极的宽度小于所述覆盖层的宽度；以及

去除未被所述覆盖层覆盖的所述氧化物层。

8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述b)步骤还包括：

以所述栅极为掩膜进行浅掺杂离子注入工艺，以在所述栅极两侧的所述覆盖层中形成所述浅掺杂区。

9.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，去除未被所述覆盖层覆盖的所述氧化物层与刻蚀所述栅氧化物层的工艺是在同一刻蚀工艺中完成的。

10.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述源极和所述漏极分别在所述第一侧壁和所述第二侧壁的外侧靠近所述第一侧壁和所述第二侧壁。

11.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一侧壁和所述第二侧壁的厚度为50-5000埃。

12.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述方法还包括在所述栅极、所述源极和所述漏极上形成金属硅化物层的步骤。