[发明专利]利用超临界流体制备二维原子晶体新材料的方法有效
| 申请号： | 201210226272.4 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN102732966A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 周城宏;赵亚平;忻娜;王燕;王武聪 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C30B30/06 | 分类号： | C30B30/06;C30B29/68 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 临界 流体 制备 二维 原子 晶体 新材料 方法 | ||
1.利用超临界流体制备二维原子晶体新材料的方法，其特征在于，该方法采用超临界CO2为剥离剂，包括以下步骤：
(1)将层状结构原料粉末加入高压反应釜内；
(2)待高压釜内的温度达到预设值后，将CO2泵入高压釜内，待高压釜内压力达到预设值后，体系达到超临界态，开始循环流动CO2；
(3)对高压釜内的超临界体系施加超声波振荡；
(4)待到达预定处理时间后，快速降压，使釜内压力降至常压；
(5)重复上述(2)(3)(4)步骤，使釜内样品经历多次升压和降压过程，通过调节升压和降压速率及次数和超声功率密度及超声时间来控制二维原子晶体薄膜层数和尺度。
2.根据权利要求1所述的利用超临界流体制备二维原子晶体新材料的方法，其特征在于，步骤(1)中所述的层状结构原料粉末包括六方氮化硼BN、MoS2、WS2、MoSe2、NbSe2、TaSe2或Bi2Te3。
3.根据权利要求1所述的利用超临界流体制备二维原子晶体新材料的方法，其特征在于，步骤(2)中所述的高压釜内的预设温度为40～80℃，高压釜内的预设压力为8～25MPa。
4.根据权利要求1所述的利用超临界流体制备二维原子晶体新材料的方法，其特征在于，步骤(3)中所述的超声波振荡的超声功率密度为6W/L～500W/L，超声时间为5min～180min。
5.根据权利要求1所述的利用超临界流体制备二维原子晶体新材料的方法，其特征在于，步骤(4)中所述的预定处理时间为20～300分钟。
6.根据权利要求1所述的利用超临界流体制备二维原子晶体新材料的方法，其特征在于，步骤(4)中所述的快速降压的降压速率为0.001atm/s～1atm/s。
7.根据权利要求1所述的利用超临界流体制备二维原子晶体新材料的方法，其特征在于，步骤(5)中所述的釜内样品经过的升压和降压次数为1～20次。
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