[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

制备具有第一导电类型杂质的半导体基板；

将预非晶化元素离子注入到所述半导体基板的正面以形成非晶层；以及

通过将第二导电类型杂质离子注入到所述半导体基板的所述正面形成发射层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预非晶化元素和所述第二导电类型杂质彼此不同。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述预非晶化元素的原子序数大于所述第二导电类型杂质的原子序数。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预非晶化元素包括选自这样的组中的至少一种元素：所述组包括碳族元素和惰性气体族元素。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预非晶化元素包括氩（Ar）和锗（Ge）中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体基板为n型，并且，其中，所述第二导电类型杂质包括硼（B）和镓（Ga）中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在离子注入所述预非晶化元素时，所述预非晶化元素的剂量在约为1x10¹⁴/cm²～3x10¹⁵/cm²的范围内，并且，

其中，在形成所述发射层时，所述第二导电类型杂质的剂量在约为2x10¹⁵/cm²～4x10¹⁵/cm²的范围内。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述发射层之后，所述方法还包括：

用于激活所述第二导电类型杂质的热处理；

其中，在所述热处理中，所述第二导电类型杂质比所述预非晶化元素在所述半导体基板中扩散得更深。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述发射层包括含有所述预非晶化元素和所述第二导电类型杂质的第一层以及含有所述第二导电类型杂质的第二层，并且，其中，

所述发射层与所述第一层的厚度比为1:0.05～1:0.15。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述热处理的温度在约为400°C～700°C的范围内。

11.根据权利要求8所述的方法，在制备所述半导体和形成所述发射层之间或在形成所述发射层和所述热处理之间，所述方法还包括：

通过向所述半导体基板的背面离子注入所述第一导电类型杂质，在所述半导体基板的背面处形成背面场层，

其中，在所述热处理中，同时激活所述发射层和所述背面场层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一导电类型杂质包括磷（P）。

13.一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：

半导体基板，所述半导体基板具有第一导电类型杂质；

发射层，所述发射层形成在所述半导体基板的正面处，所述发射层包括第二导电类型杂质和预非晶化元素，所述预非晶化元素的原子序数大于所述第二导电类型杂质的原子序数；

第一电极，所述第一电极电连接至所述发射层；以及

第二电极，所述第二电极电连接至所述半导体基板。

14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其中，所述发射层包括：

第一层，所述第一层与所述半导体基板的正面相邻，并包括所述预非晶化元素和所述第二导电类型杂质；以及

第二层，所述第二层位于所述半导体基板的深于所述第一层的部分处，并包括所述第二导电类型杂质。

15.根据权利要求13所述的太阳能电池，其中，所述预非晶化元素包括选自这样的组中的至少一种元素：所述组包括碳族元素和惰性气体族元素。

16.根据权利要求15所述的太阳能电池，其中，所述预非晶化元素包括氩（Ar）和锗（Ge）中的至少一种。

17.根据权利要求13所述的太阳能电池，其中，所述半导体基板为n型，并且其中，所述第二导电类型杂质包括硼（B）和镓（Ga）中的至少一种。

18.根据权利要求13所述的太阳能电池，其中，所述第二层的厚度大于所述第一层的厚度。