[发明专利]衬底支撑座及应用所述衬底支撑座的半导体处理设备无效
申请号: | 201210226341.1 | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN103077917A | 公开(公告)日: | 2013-05-01 |
发明(设计)人: | 梁秉文 | 申请(专利权)人: | 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C23C16/458 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 314300 浙江省嘉兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 支撑 应用 半导体 处理 设备 | ||
1.一种衬底支撑座,其包括:支撑基座,用于支撑一个或多个衬底;加热器,所述加热器用于加热所述支撑基座,其特征在:所述加热器的至少一部分与所述支撑基座之间的距离可调,以调节所述支撑基座的温度。
2.如权利要求1所述的衬底支撑座,其特征在于:所述加热器包括至少第一加热单元和设置在所述第一加热单元周围的第二加热单元,所述第一加热单元对应所述支撑基座的中心区域,所述第二加热单元对应所述支撑基座的边缘区域,所述第一加热单元和所述第二加热单元中至少一个与所述支撑基座之间的距离可调。
3.如权利要求2所述的衬底支撑座,其特征在于:所述第二加热单元与所述支撑基座之间的距离可调。
4.如权利要求3所述的衬底支撑座,其特征在于:所述第一加热单元与所述支撑基座之间的距离固定。
5.如权利要求4所述的衬底支撑座,其特征在于:所述第二加热单元与所述支撑基座之间的距离小于或等于所述第一加热单元与所述支撑基座之间的距离。
6.如权利要求3所述的衬底支撑座,其特征在于:所述第一加热单元与所述支撑基座之间的距离可调。
7.如权利要求6所述的衬底支撑座,其特征在于:所述第一加热单元与所述支撑基座的距离大于或等于所述第二加热单元与所述支撑基座之间的最大距离。
8.如权利要求3所述的衬底支撑座,其特征在于:所述第二加热单元通过平移的方式调节与所述支撑基座之间的距离。
9.如权利要求8所述的衬底支撑座,其特征在于:所述第二加热单元成环状,并环绕所述第一加热单元。
10.如权利要求3所述的衬底支撑座,其特征在于:所述第二加热单元包括设置在所述第一加热单元周围的多个加热模块,所述加热模块通过绕一转轴转动的方式调节所述加热模块与所述支撑基座之间的距离,使得,调节所述第二加热单元靠近所述支撑基座时,所述加热模块远离所述第一加热单元的一侧更靠近所述支撑基座。
11.如权利要求10所述的衬底支撑座,其特征在于:所述第一加热单元呈多边形,所述多个加热模块呈条形,所述多个加热模块对应临近所述呈多边形的第一加热单元各个边设置,并以对应的边作为转轴。
12.如权利要求11所述的衬底支撑座,其特征在于:所述条形加热模块与所述第一加热单元的边缘铰接。
13.如权利要求10所述的衬底支撑座,其特征在于:所述第一加热单元呈圆形,所述多个加热模块呈放射状分布在所述第一加热单元周围。
14.如权利要求3所述的衬底支撑座,其特征在于:所述第一加热单元包括主加热模块和中心加热模块,所述中心加热模块设置在由所述主加热模块围绕的区域。
15.如权利要求14所述的衬底支撑座,其特征在于:所述主加热模块与所述支撑基座之间的距离固定。
16.如权利要求15所述的衬底支撑座,其特征在于:所述中心加热模块与所述支撑基座之间的距离固定,且所述距离大于所述主加热模块与所述支撑基座之间的距离。
17.如权利要求15所述的衬底支撑座,其特征在于:所述中心加热模块与所述支撑基座之间的距离可调,且所述距离大于所述主加热模块与所述支撑基座之间的距离。
18.如权利要求14所述的衬底支撑座,其特征在于:所述中心加热模块和所述主加热模块相对所述支撑基座之间的距离均可调。
19.如权利要求18所述的衬底支撑座,其特征在于:中心加热模块和所述主加热模块联动调节相对所述支撑基座之间的距离。
20.如权利要求19所述的衬底支撑座,其特征在于:所述联动调节方式为:所述中心加热模块和所述主加热模块相对所述支撑基座之间的距离同时增大或同时减少;且所述中心加热模块与所述支撑基座之间距离的增加速度,大于所述主加热模块与所述支撑基座之间距离的增加速度。
21.如权利要求1所述的衬底支撑座,其特征在于:所述支撑基座包括一衬底支撑面和一与所述衬底支撑面相对的底面,所述衬底设置在所述衬底支撑面,所述加热器设置在临近所述支撑基座的底面一侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造