[发明专利]光学组件及其制造方法、光伏器件无效
申请号: | 201210226532.8 | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN102842623A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 谷鋆鑫;王正佳;陈捷 | 申请(专利权)人: | 法国圣戈班玻璃公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 朱胜;李春晖 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 组件 及其 制造 方法 器件 | ||
1.一种光学组件,其特征在于,包括:
基底;
抗反射膜,覆盖于所述基底上,所述抗反射膜包括多个位于所述基底上的纳米棒,所述纳米棒与所述基底不相接触的端面形成有台阶结构。
2.如权利要求1所述的光学组件,其特征在于,所述纳米棒为氧化锌纳米棒、二氧化钛纳米棒或氧化铟锡纳米棒。
3.如权利要求1所述的光学组件,其特征在于,所述端面形成有凹陷,所述台阶结构由所述凹陷形成。
4.如权利要求3所述的光学组件,其特征在于,所述纳米棒为具有六角棱柱晶体结构的氧化锌纳米棒,所述凹陷由(001)晶面刻蚀而成。
5.如权利要求3所述的光学组件,其特征在于,所述凹陷的深度为形成所述凹陷的纳米棒长度的0.1~0.9倍。
6.如权利要求1所述的光学组件,其特征在于,所述基底的材料为玻璃、金属或塑料。
7.一种光伏器件,其特征在于,包括:
如权利要求1~6中任一权利要求所述的光学组件,所述光学组件中的基底为透明基底;
太阳能电池,位于所述透明基底未设置抗反射膜的一侧。
8.如权利要求7所述的光伏器件,其特征在于,所述透明基底的材料为有机玻璃或塑料。
9.一种光学组件的制造方法,其特征在于,包括:
提供基底;
在所述基底上形成多个纳米棒;
在所述纳米棒与所述基底不相接触的端面形成台阶结构。
10.如权利要求9所述的制造方法,其特征在于,在提供基底之后,形成纳米棒之前还包括清洗所述基底。
11.如权利要求10所述的制造方法,其特征在于,所述基底为玻璃,所述清洗所述基底的步骤包括:
依次通过丙酮、异丙醇和去离子水对所述基底进行超声波震荡清洗;
通过氢氟酸或硝酸溶液对所述基底进行粗糙化处理。
12.如权利要求9、10或11所述的制造方法,其特征在于,所述纳米棒为氧化锌纳米棒,形成纳米棒的步骤包括:
将醋酸锌和单乙醇胺溶解于乙醇,形成涂膜溶液;
将所述涂膜溶液通过旋涂的方式涂覆在基底上;
对所述基底进行加热,使所述涂膜溶液分解,在所述基底上形成氧化锌晶种;
将六水合硝酸锌和环六亚甲基四胺溶液混合,形成生长溶液;
将形成有氧化锌晶种的基底放置于所述生长溶液中,以在所述晶种所在位置处生长氧化锌纳米棒。
13.如权利要求12所述的制造方法,其特征在于,形成氧化锌晶种的步骤包括:大气压下,对所述基底加热至300~400℃,以所述温度对基底加热持续0.5~2小时,以使所述涂膜溶液分解。
14.如权利要求12所述的制造方法,其特征在于,生长氧化锌纳米棒的步骤包括:将形成有氧化锌晶种的基底放置于温度为80~95℃的所述生长溶液中,持续120~300分钟,以形成氧化锌纳米棒。
15.如权利要求9所述的制造方法,其特征在于,在形成纳米棒之后,形成台阶结构之前,还包括:
通过去离子水清洗所述纳米棒,以去除残余溶液;
清洗之后,将形成有纳米棒的基底晾干。
16.如权利要求9所述的制造方法,其特征在于,在纳米棒与所述基底不相接触的端面形成台阶结构的步骤包括:将形成有纳米棒的基底放置在刻蚀溶液中,通过所述刻蚀溶液在所述纳米棒与基底不相接触的端面上刻蚀出台阶结构。
17.如权利要求9所述的制造方法,其特征在于,所述纳米棒为氧化锌纳米棒;在纳米棒与所述基底不相接触的端面形成台阶结构的步骤包括:通过酸性或碱性溶液刻蚀氧化锌纳米棒的(001)晶面,在所述端面形成凹陷,以形成由所述凹陷形成的台阶结构。
18.如权利要求17所述的制造方法,其特征在于,通过酸性或碱性溶液刻蚀纳米棒的(001)晶面的步骤包括:在温度为20~85℃的条件下,将氧化锌纳米棒放置于盐酸溶液中持续5~60分钟,所述盐酸的浓度位于0.001~0.1摩尔/升范围内。
19.如权利要求17所述的制造方法,其特征在于,通过酸性或碱性溶液刻蚀纳米棒的(001)晶面的步骤包括:在温度为20~85℃的条件下,将氧化锌纳米棒放置氢氧化钾溶液中持续5~60分钟,所述氢氧化钾的浓度位于0.001~0.1摩尔/升范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的