[发明专利]配线基板的镀覆方法、镀覆配线基板的制法以及银蚀刻液

权利要求书

1.一种配线基板的镀覆方法，其为在具有绝缘性基材和导电图案的配线基板的所述导电图案上施行镀覆的方法，所述导电图案在最外层具有至少含有银和铜的金属层，其特征在于，该方法具有以下工序：

将所述配线基板用含有氧化剂的第1处理液处理的(A)工序；

将经过所述(A)工序的所述配线基板用溶解氧化铜的第2处理液处理，由此从所述导电图案表面将氧化铜去除的(B)工序；

将经过所述(B)工序的所述配线基板用第3处理液处理，由此从所述导电图案表面将氧化银去除的(C)工序，所述第3处理液在25℃下溶解氧化银(I)的速度为在25℃下溶解铜(0)的速度的1000倍以上；

在经过所述(C)工序的所述配线基板的导电图案上施行化学镀的(D)工序。

2.根据权利要求1所述的配线基板的镀覆方法，其特征在于，所述(D)工序具有

在所述配线基板的导电图案上施行化学镀镍的(D1)工序；

在经过所述(D1)工序的所述配线基板的导电图案上施行化学镀贵金属的(D2)工序。

3.根据权利要求1或2所述的配线基板的镀覆方法，其特征在于，所述第1处理液为包含选自高锰酸盐和重铬酸盐中的至少一种的水溶液。

4.根据权利要求1~3中的任一项所述的配线基板的镀覆方法，其特征在于，所述第2处理液为包含硫酸和过氧化氢的水溶液。

5.根据权利要求1~4中的任一项所述的配线基板的镀覆方法，其特征在于，所述第3处理液为包含过氧化氢和氨的水溶液。

6.根据权利要求1~5中的任一项所述的配线基板的镀覆方法，其特征在于，所述第3处理液为在25℃下以溶解铜(0)的速度的2500倍以上的速度溶解氧化银(I)的处理液。

7.一种镀覆配线基板的制造方法，其为具有绝缘性基材和所述绝缘性基材上的导电图案的镀覆配线基板的制造方法，所述导电图案在至少含有银和铜的金属层的表面施行了镀覆，其特征在于，该方法具有以下工序：

制作具有绝缘性基材和所述绝缘性基材上的导电图案的配线基板的(X)工序，所述导电图案在最外层具有至少含有银和铜的金属层；

在通过所述(X)工序制作的所述配线基板的导电图案上，通过权利要求1~6中的任一项所述的配线基板的镀覆方法施行镀覆的(Y)工序。

8.根据权利要求7所述的镀覆配线基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘性基材为陶瓷基板，

所述(X)工序具有：

将至少含有银和铜的糊剂组合物涂布在烧结陶瓷基板或陶瓷坯片表面，由此制作配线基板前体的(X1)工序；

将通过所述(X1)工序制作的所述配线基板前体焙烧，由此制作所述配线基板的(X2)工序。

9.一种银蚀刻液，其特征在于，其在25℃下以溶解铜(0)的速度的1000倍以上的速度溶解氧化银(I)。

10.根据权利要求9所述的银蚀刻液，其特征在于，25℃下的氧化银(I)的溶解速度为1×10^-16mol/s·m²以上且1×10^-12mol/s·m²以下。