[发明专利]一种阵列基板过孔的制作方法及阵列基板制作工艺

权利要求书

1.一种阵列基板过孔的制作方法，其特征在于，包括步骤：

预刻蚀，分别对多个需要生成过孔的区域中的至少一个区域所对的金属层上方的层级结构进行部分刻蚀，使得需要生成过孔的多个区域中与其相应金属层之间的刻蚀深度余量相同；

刻蚀，对所述多个需要生成过孔的区域进行同步刻蚀，直至各个过孔连接到其金属层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板过孔的制作方法，其特征在于，所述多个需要生成过孔的区域中生成过孔需刻蚀的刻蚀深度为两种，其中，刻蚀深度较深的称为深孔，刻蚀深度较浅的称为浅孔；

步骤预刻蚀中，对深孔所对的深孔区域进行部分刻蚀，使得深孔区域的刻蚀深度余量与所述浅孔所对的浅孔区域的刻蚀深度相同。

3.根据权利要求2所述的阵列基板过孔的制作方法，其特征在于，所述步骤预刻蚀之前还包括步骤：

涂覆光刻胶；

曝光，对深孔区域的光刻胶进行完全曝光，对浅孔区域的光刻胶进行半曝光，浅孔区域的光刻胶留有预定的曝光余量；

所述步骤刻蚀与所述步骤预刻蚀之间还包括步骤：

灰化，灰化去除浅孔区域内光刻胶的曝光余量；

所述步骤刻蚀之后还包括步骤：

剥离，将多余光刻胶剥离去除。

4.根据权利要求3所述的阵列基板过孔的制作方法，其特征在于，所述步骤曝光中，使用具有全透光区和半透光区的掩膜板进行曝光，其中，所述半透掩膜板的全透光区与深孔区域对应，半透光区与浅孔区域对应。

5.一种阵列基板制作工艺，其特征在于，包括步骤：

在基板上形成栅极线金属层；

在栅极线金属层上形成栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上依次形成有源层和数据线金属层；

在数据线金属层以及栅极绝缘层之上形成绝缘层；

预刻蚀，分别对多个需要生成过孔的区域中的至少一个区域所对的金属层上方的层级结构进行部分刻蚀，使得需要生成过孔的多个区域中与其相应金属层之间的刻蚀深度余量相同；

刻蚀，对所述多个需要生成过孔的区域进行同步刻蚀，直至各个过孔连接到其金属层；

沉积刻蚀电极层，实现相应金属层之间的连接。

6.根据权利要求5所述的阵列基板制作工艺，其特征在于，所述多个需要生成过孔的区域中生成过孔需刻蚀的刻蚀深度为两种，其中，刻蚀深度较深的称为深孔，刻蚀深度较浅的称为浅孔；

步骤预刻蚀中，对深孔所对的深孔区域进行部分刻蚀，使得深孔区域的刻蚀深度余量与所述浅孔所对的浅孔区域的刻蚀深度相同。

7.根据权利要求6所述的阵列基板制作工艺，其特征在于，所述步骤预刻蚀之前还包括步骤：

涂覆光刻胶；

曝光，对深孔区域的光刻胶进行完全曝光，对浅孔区域的光刻胶进行半曝光，浅孔区域的光刻胶留有预定的曝光余量；

所述步骤刻蚀与所述步骤预刻蚀之间还包括步骤：

灰化，灰化去除浅孔区域内光刻胶的曝光余量；

所述步骤刻蚀之后还包括步骤：

剥离，将多余光刻胶剥离去除。

8.根据权利要求7所述的阵列基板制作工艺，其特征在于，所述深区金属层为栅极线金属层，所述浅区金属层为数据线金属层，所述电极层实现栅极线金属层与所述数据线金属层之间的连接。

9.根据权利要求8所述的阵列基板制作工艺，其特征在于：

所述步骤涂覆光刻胶中，在所述绝缘层上涂覆光刻胶；

所述步骤曝光中，对栅极线金属层所对深孔区域的光刻胶进行完全曝光，对数据线金属层所对浅孔区域的光刻胶进行半曝光，浅孔区域的光刻胶留有预定的曝光余量；

所述步骤预刻蚀中，对完全曝光的深孔区域进行部分刻蚀，并在栅极线金属层上方留有预定的刻蚀深度余量，所述预定的刻蚀深度余量与浅孔区域的刻蚀深度相同；

所述步骤灰化中，灰化去除浅孔区域内光刻胶的曝光余量；

所述步骤刻蚀中，对浅孔区域以及深孔区域进行刻蚀，直至深孔区域的深孔连接到栅极线金属层，同时，浅孔区域的浅孔连接到数据线金属层；

所述步骤剥离中，将多余光刻胶剥离去除。

10.根据权利要求9所述的阵列基板制作工艺，其特征在于，所述绝缘层的刻蚀深度与所述栅极绝缘层的刻蚀深度相同，所述步骤预刻蚀中，所述深孔预刻蚀至栅极绝。