[发明专利]用于微波晶体再生长的低温方法和设备

权利要求书

1.一种用于制造外延层的方法，其包括：

提供含有具有单晶结构的上表面的半导体衬底；

在所述衬底的所述上表面上形成一层，其中所述层包括大体上与所述半导体衬底相同的材料且包括非晶或多晶结构；以及

使用低温微波加热所述层以将所述非晶或多晶结构改变为单晶结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述材料包括Si。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述材料包括C。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述加热过程的所述低温小于约550℃。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述加热过程的所述低温在约200℃到约550℃的范围内。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述加热过程的所述低温在约400℃到约550℃的范围内。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括用掺杂剂掺杂所述层，且随后使用低温微波激活所述掺杂剂。

8.根据权利要求7所述的方法，其中大体上同时执行通过微波进行的加热和通过微波进行的所述激活。

9.根据权利要求1所述的方法，其中使用分批反应器来执行所述方法，所述分批反应器大体上同时在一个以上晶片上沉积所述层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中使用分批反应器来执行所述方法，所述分批反应器大体上同时在1到12个晶片上沉积所述层。

11.一种用于制造外延层的方法，其包括：

提供具有包括单晶结构的上表面的半导体衬底；以及

使用微波在小于约550℃的温度下在所述衬底上表面上形成具有单晶结构的外延层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述材料包括Si。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述材料包括C。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述加热过程的所述低温在约200℃到约550℃的范围内。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述加热过程的所述低温在约400℃到约550℃的范围内。

16.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括用掺杂剂掺杂所述层，且随后使用低温微波激活所述掺杂剂。

17.根据权利要求16所述的方法，其中大体上同时执行通过微波进行的加热和通过微波进行的所述激活。

18.根据权利要求11所述的方法，其中使用分批反应器来执行所述方法，所述分批反应器大体上同时在一个以上晶片上沉积所述层。

19.根据权利要求18所述的方法，其中使用分批反应器来执行所述方法，所述分批反应器大体上同时在1到12个晶片上沉积所述层。

20.一种用于制造外延层的方法，其包括：

提供含有具有单晶结构的上表面的半导体衬底；

使用快速热处理在所述衬底的所述上表面上形成一层，其中所述层包括大体上与所述半导体衬底相同的材料且包括非晶或多晶结构；以及

使用微波在小于约550℃的温度下使所述层退火，以将所述非晶或多晶结构改变为单晶结构。