[发明专利]晶片封装体及其形成方法有效
申请号: | 201210227032.6 | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN102856336A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 许传进;林柏伸;张义民 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0216;H01L33/44 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾桃园县中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 封装 及其 形成 方法 | ||
技术领域
本发明有关于晶片封装体及其形成方法,且特别是有关于光电元件晶片封装体及其形成方法。
背景技术
光感测元件或发光元件等光电元件在撷取影像或提供光线的应用中扮演着重要的角色。这些光电元件均已广泛地应用于例如是数字相机(digital camera)、数字视频录像机(digital video recorder)、移动电话(mobile phone)、太阳能电池、屏幕、照明设备等的电子产品中。
随着科技的演进,对于光感测元件的感测精准度或发光元件的发光精准度的需求亦随之提高。
发明内容
本发明一实施例提供一种晶片封装体,包括:一基底,具有一第一表面及一第二表面;一光电元件,形成于该基底之中;一导电层,设置于该基底之上,其中该导电层电性连接该光电元件;一绝缘层,设置于该基底与该导电层之间;一遮光层,设置于该基底的该第二表面之上,且直接接触该导电层,其中该遮光层的遮光率大于80%,且具有露出该导电层的至少一开口;以及一导电凸块,设置于该遮光层的该开口之中以电性接触该导电层,其中该遮光层与该导电凸块共同完全覆盖该基底的该第二表面。
本发明所述的晶片封装体,还包括一穿孔,自该第二表面朝该第一表面延伸,其中该绝缘层延伸于该穿孔的一侧壁上,且延伸至该基底的该第二表面上,且该导电层延伸至该穿孔中的该绝缘层之上。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层延伸至该穿孔之中。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层顺应性设置于该穿孔的该侧壁上的该导电层之上。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层填充于该穿孔之中。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层填满该穿孔。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层覆盖该穿孔。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层完全不填入该穿孔。
本发明所述的晶片封装体,该遮光层直接接触该导电凸块。
本发明所述的晶片封装体,该导电凸块完全填满该遮光层的该开口。
本发明所述的晶片封装体,还包括一透明基底,设置于该基底的该第一表面上。
本发明所述的晶片封装体,还包括一间隔层,设置于该基底与该透明基底之间,其中该间隔层、该基底及该透明基底共同于该光电元件之上围绕出一空腔。
本发明一实施例提供一种晶片封装体的形成方法,包括:提供一基底,该基底具有一第一表面及一第二表面,其中该基底之中形成有至少一光电元件;于该基底上形成一绝缘层;于该基底上的该绝缘层之上形成一导电层,其中该导电层电性连接该至少一光电元件;于该基底的该第二表面上形成一遮光层,其中该遮光层直接接触该导电层且具有露出该导电层的至少一开口,且该遮光层的遮光率大于80%;以及于该遮光层的该至少一开口中形成一导电凸块以电性连接该导电层,其中该遮光层与该导电凸块共同完全覆盖该基底的该第二表面。
本发明所述的晶片封装体的形成方法,还包括在形成该绝缘层之前,自该基底的该第二表面移除部分的该基底以形成朝该基底的该第一表面延伸的一穿孔,其中该绝缘层延伸于该穿孔的一侧壁上,且该导电层延伸于该穿孔中的该绝缘层之上。
本发明所述的晶片封装体的形成方法,该遮光层延伸于该穿孔中的该导电层之上。
本发明所述的晶片封装体的形成方法,还包括沿着该基底上的多个预定切割道进行一切割制程以形成彼此分离的多个晶片封装体。
本发明所述的晶片封装体的形成方法,该导电凸块的形成包括:于该遮光层的该至少一开口中填入一焊料;以及对该焊料进行一回焊制程以形成该导电凸块。
本发明所述的晶片封装体的形成方法,还包括于该基底的该第一表面上设置一透明基底。
本发明所述的晶片封装体的形成方法,还包括于该基底与该透明基底之间设置一间隔层,其中该间隔层、该基底及该透明基底共同于该光电元件之上围绕出一空腔。
本发明所述的晶片封装体的形成方法,该遮光层的形成包括:于该基底的该第二表面上涂布一高分子溶液以形成一遮光材料层;以及对该遮光材料层进行一曝光制程及一显影制程以形成该遮光层。
本发明可使晶片封装体的运作更为顺利、避免漏光问题的发生及节省制程成本与时间。
附图说明
图1A及1B分别显示本申请发明人所知的一种晶片封装体的剖面图及其局部放大图。
图2A-2B显示根据本发明一实施例的晶片封装体的制程剖面图。
图3A-3C显示根据本发明实施例的晶片封装体的剖面图。
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