[发明专利]处理基板的设备和方法有效
申请号: | 201210227046.8 | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN102856233A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 卢载旻 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 韩国忠淸南道天*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 设备 方法 | ||
1.一种基板处理设备,其特征在于,包括:
处理室,所述处理室提供处理基板的空间;
排气管,所述排气管连接至所述处理室且提供通道,气体经过所述通道从所述处理室排出到所述处理室外部;
泵,所述泵安装在所述排气管上;以及
阀,所述阀安装在所述处理室和所述泵之间的所述排气管上,且开启和闭合所述通道,
其中,所述阀包括:
第一板,所述第一板被提供为具有排气孔;以及
第一驱动器,所述第一驱动器移动所述第一板使得所述排气孔位于所述通道内或所述通道外。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述第一板包括:
开启区域,所述排气孔设置在所述开启区域中以通过气体;以及
闭合区域,从所述开启区域延伸且阻塞在所述排气管的所述通道内的气体的流动,
其中,所述闭合区域具有大于所述通道的面积的面积。
3.根据权利要求2所述的基板处理设备,其中,所述开启区域具有小于所述通道的面积的面积。
4.根据权利要求1所述的基板处理设备,其中,所述阀进一步包括:第二板,所述第二板设置在所述处理室和所述第一板之间的所述排气管内,且开启和闭合所述通道,
其中所述排气孔不设置在所述第二板中。
5.根据权利要求4所述的基板处理设备,其中,所述第一板包括开启区域,所述开启区域具有对应于所述通道的面积,以及
所述排气孔均匀地分布在所述开启区域中。
6.一种基板处理方法,包括:
供应气体至处理室内以处理基板;及
通过连接至所述处理室的排气管将气体从所述处理室排出到所述处理室外部,
其中,所述排出的气体经过第一板的排气孔,所述第一板的排气孔设置在所述排气管的通道内。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述第一板包括开启区域,所述开启区域被提供为具有所述排气孔且具有小于所述通道的面积的面积,
其中,当气体被排出时,所述开启区域位于所述通道内,且所述排出的气体的一部分流经所述排气孔。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,在气体被供应至所述处理室之前,通过使所述第一板的闭合区域位于所述通道内而闭合所述排气管,
其中所述闭合区域具有大于所述通道的面积的面积,且所述排气孔不设置在所述闭合区域中。
9.根据权利要求6所述的方法,其中,第二板设置在所述第一板和所述处理室之间的所述排气管内以开启和闭合所述通道,
其中,当气体被排出时,所述第二板开启所述通道,并且
在气体被供应至所述处理室之前,所述第二板闭合所述通道。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述第一板包括开启区域,所述开启区域被提供为具有所述排气孔且具有对应于所述通道的面积,
其中,当气体被排出时,所述开启区域位于所述通道内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造