[发明专利]光源和反射式光学元件无效
申请号: | 201210227149.4 | 申请日: | 2012-06-29 |
公开(公告)号: | CN103511874A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 查尔斯·李;林西宏;托尔斯滕·孔兹;彼得·布里克 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V19/00;F21V7/00;F21V17/00;F21Y101/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;李春晖 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光源 反射 光学 元件 | ||
1.一种半导体光源(1),包括:
至少一个具有支座顶面(20)的支座(2),
多个发光半导体器件(3),所述多个发光半导体器件(3)安装在所述支座顶面(20)上并且具有沿着与所述支座顶面(20)相交的方向的主发射方向(M),以及
反射式光学元件(4),所述反射式光学元件(4)位于所述支座(2)上,
其中
所述光学元件(4)包括中央部分(41),
在面向所述支座顶面(20)的俯视图中来看,所述半导体器件(3)位于所述中央部分(41)周围,并且位于由所述支座顶面(20)限定的平面中,
所述光学元件(4)包括沿着所述半导体器件(3)的主发射方向(M)接着所述中央部分(41)的顶部(42),
所述顶部(42)具有比所述中央部分(41)更大的并且比所述半导体器件(3)之间的最大距离更大的平均直径,
所述半导体器件(3)位于所述支座(2)与所述光学元件(4)之间,
所述光学元件(41)包括面对所述半导体器件(3)并且在所述中央部分(41)和所述顶部(42)两者上延伸的主反射表面(43),以及
在垂直于所述支座顶面(20)的至少一个横截面视图中,所述主反射表面(43)双凹地形成。
2.根据权利要求1所述的半导体光源(1),其中,在垂直于所述支座顶面(20)的横截面视图中来看,所述主反射表面(43)根据如下公式以柱状坐标形成:h(r)=[q(r-0.5d)]0.5+ho,r≥0.5d,并且具有至多0.25d的容差,其中,h是所述主反射表面(43)的高度,r是与所述光学元件(4)的光轴(A)的距离,q是大于0的实数,ho是偏移高度,以及d是在所述横截面视图中所述中央部分(41)在所述支座顶面(20)处的直径。
3.根据权利要求2所述的半导体光源(1),其中,所述主反射表面(43)旋转对称地形成,所述光轴(A)是旋转轴。
4.根据权利要求1、2或3所述的半导体光源(1),
其中,所述主反射表面(43)是平滑的至少二次连续可微分的面,或者能够通过这种面来近似,其中容差至多为0.5mm,
其中,所述面的二阶导数的符号不变。
5.根据权利要求1、2或3所述的半导体光源(1),
包括在所述光学元件(4)中形成的多个穿孔(45),所述穿孔(45)设计成使由所述半导体器件(3)发射的部分辐射(R)通过,
在面向所述支座顶面(20)的俯视图中来看,所述穿孔(45)不位于所述半导体器件(3)的正上方。
6.根据权利要求5所述的半导体光源(1),包括第一穿孔(45a)和第二穿孔(45b),
其中,所述第二穿孔(45b)具有比所述第一穿孔(45a)大的平均直径,
其中,所述第一穿孔(45a)比所述第二穿孔(45b)距离所述支座顶面(20)更近,以及
其中,所述第一穿孔(45a)沿着外围方向相对于所述第二穿孔(45b)移位。
7.根据权利要求6所述的半导体光源(1),
其中,所述第二穿孔(45b)的平均直径在所述顶部(42)的最大直径的5%与15%之间、包括5%和15%在内,以及
其中,在面向所述支座顶面(20)的俯视图中来看,所述第一穿孔(45a)的平均直径在所述顶部(42)的最大直径的0.75%与4%之间、包括0.75%与4%在内。
8.根据权利要求6所述的半导体光源(1),
其中,在面向所述支座顶面(20)的俯视图中来看,所述半导体器件(3)沿着径向方向接着所述第一穿孔(45a),以及
其中,所述第一穿孔(45a)、所述第二穿孔(45b)以及所述半导体器件(3)的数量在3个与8个之间,包括3个和8个在内。
9.根据权利要求1、2或3所述的半导体光源(1),
其中,所述光学元件(4)包括朝着离开所述半导体器件(3)方向的并且类似于所述主反射表面(43)的形式的顶反射表面(44),
其中,所述顶反射表面(44)设置有多个小面(46)并且所述小面(46)的平均直径在所述顶部(42)的最大直径的0.5%与3.5%之间、包括0.5%和3.5%在内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司,未经欧司朗光电半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210227149.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。