[发明专利]便于打线的LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种便于打线的LED芯片，包括：

衬底；

外延层，所述外延层设置于所述衬底上，所述外延层具有第一电极制备区和第二电极制备区，所述第一电极制备区和所述第二电极制备区彼此独立，所述第一电极制备区内具有第一电极粗化区，所述第二电极制备区内具有第二电极粗化区；

第一电极，所述第一电极设置于所述第一电极制备区上；以及

第二电极，所述第二电极设置于所述第二电极制备区上。

2.如权利要求1所述的便于打线的LED芯片，其特征在于，所述衬底为图形化衬底或非图形化衬底。

3.如权利要求1所述的便于打线的LED芯片，其特征在于，所述衬底的材料为蓝宝石、碳化硅、氧化镁或氧化锌。

4.如权利要求1所述的便于打线的LED芯片，其特征在于，所述外延层包括自上至下依次层叠设置的第一限制层、发光外延层和第二限制层，所述第一电极制备区位于所述第一限制层上，所述第二限制层包括第一区域和第二区域，所述发光外延层和第二限制层位于所述第一区域上，所述第二电极制备区位于所述第二区域内。

5.如权利要求4所述的便于打线的LED芯片，其特征在于，所述外延层上还具有透明导电层，所述透明导电层位于所述第一限制层上，所述透明导电层露出部分所述第一电极制备区，露出部分的第一电极制备区中包括第一电极粗化区。

6.如权利要求1所述的便于打线的LED芯片，其特征在于，所述第一电极粗化区的面积小于等于所述第一电极制备区的面积，所述第二电极粗化区的面积小于等于所述第二电极制备区的面积。

7.如权利要求1所述的便于打线的LED芯片，其特征在于，所述第一电极粗化区和所述第二电极粗化区均具有纳米图案，所述纳米图案的长、宽、高以及相邻纳米图案之间的间距均在10nm～200nm之间。

8.如权利要求7中所述的便于打线的LED芯片，其特征在于，所述纳米图案为无序排列。

9.如权利要求1所述的便于打线的LED芯片，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的上表面均具有粗糙表面。

10.如权利要求1所述的便于打线的LED芯片，其特征在于，所述第一电极和第二电极均包括自下至上依次层叠的欧姆接触层、过渡层及主电极层。

11.如权利要求10所述的便于打线的LED芯片，其特征在于，所述主电极层的材料为金属铝，厚度为

12.如权利要求1所述的便于打线的LED芯片，其特征在于，在所述外延层、第一电极以及第二电极上还设置有钝化保护膜，所述钝化保护膜覆盖所述第一电极的边缘并露出第一电极的中间区域，所述钝化保护膜覆盖所述第二电极的边缘并露出第二电极的中间区域。

13.一种便于打线的LED芯片的制备方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上制备外延层，所述外延层具有第一电极制备区和第二电极制备区，所述第一电极制备区和所述第二电极制备区彼此独立；

对所述第一电极制备区和第二电极制备区分别进行粗化形成第一电极粗化区和第二电极粗化区，以得到具有第一电极粗化区的第一电极制备区和具有第二电极粗化区的第二电极制备区；

制备第一电极和第二电极，所述第一电极设置于具有所述第一粗化区的第一电极制备区上，所述第二电极设置于具有所述第二粗化区的第二电极制备区上。

14.如权利要求13所述的便于打线的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述衬底为图形化衬底或非图形化衬底，所述衬底的材料为蓝宝石、碳化硅、氧化镁或氧化锌。