[发明专利]一种制备边缘粗糙度较小的细线条的方法

权利要求书

1.一种制备边缘粗糙度较小的细线条的方法，其步骤包括：

1）在衬底上淀积阻挡层和牺牲层；

2）在所述牺牲层上涂光刻胶，并定义线条的光刻图形；

3）采用干法刻蚀方法将所述光刻图形转移至所述牺牲层；

4）淀积侧墙材料层，并采用干法刻蚀方法形成侧墙；

5）湿法腐蚀侧墙内的牺牲层，形成侧墙掩膜层；

6）利用所述侧墙掩膜层，通过干法刻蚀将线条图形转移至衬底上，得到细线条。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层为氧化硅，所述牺牲层为多晶硅。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用普通光学光刻方法定义线条图形。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧墙材料层为氮化硅。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用低压化学气相沉积方法进行所述淀积。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积方法进行所述淀积。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述干法刻蚀为各向异性干法刻蚀。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用TMAH溶液进行所述湿法腐蚀。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述TMAH溶液的浓度为25wt%，腐蚀温度为60℃。