[发明专利]低噪声CMOS集成参考电压产生电路

权利要求书

1.一种低噪声CMOS集成参考电压产生电路，其特征在于，包括：

低噪声带隙基准源产生电路，包括一个斩波放大器，所述低噪声带隙基准源产生电路用于产生低噪声带隙基准源；

正参考电压产生电路，包括一个由斩波放大器，MOS管及电阻构成的负反馈电路，所述正参考电压产生电路用于从所述带低噪声隙基准源产生正参考电压；

负参考电压产生电路，包括一个由斩波放大器，MOS管，电流源及电阻构成的负反馈电路，所述负参考电压产生电路用于从所述正参考电压产生与所述正参考电压对称的负参考电压。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，在所述低噪声带隙基准源产生电路之后，正参考电压产生电路之前，还包括：

启动电路，用于使所述低噪声带隙基准源产生电路产生的带隙基准源工作在正常工作点。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述低噪声带隙基准电源产生电路包括：一个由斩波放大器，MOS管，电阻及BJT管形成的负反馈电路。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述正参考电压产生电路，具体为：

斩波放大器的同相输入端连接到所述带隙基准源产生电路的经过滤波后的输出，斩波放大器的反相输入端连接第一电阻和第二电阻之间的端点，第一电阻的另一端接地，第二电阻的另一端连接MOS管的漏极，MOS管的栅极连接斩波放大器的输出端MOS管的源级接电源；其中，MOS管漏极与第二电阻的连接点为所述正参考电压产生电路的输出。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述负参考电压产生电路，具体为：

第三电阻的一端连接到所述正参考电压产生电路的经过滤波后的输出，第三电阻的另一端连接到斩波放大器的反相输入端和第四电阻的一端，第四电阻的另一端连接到电流源的一端和MOS管的漏极，电流源的另一端连电源，MOS管的栅极连接到斩波放大器的输出，MOS管的源级接地，斩波放大器的同相输入端也接地；其中，电流源与第四电阻的连接点为所述正参考电压产生电路的输出。