[发明专利]LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED芯片，包括：

透明衬底，所述透明衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；

外延层，所述外延层设置在所述透明衬底第一表面；

第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极设置在所述外延层上，所述第一电极和所述第二电极用于对所述外延层施加电压；以及

发光玻璃，所述发光玻璃设置在所述透明衬底第二表面。

2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述发光玻璃的材料为被紫外光或蓝紫光激发的材质。

3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述发光玻璃为发光硅酸盐玻璃或发光硅硼酸盐玻璃。

4.如权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述发光硅酸盐玻璃包含碱性氧化物和稀土氧化物。

5.如权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述碱性氧化物为二氧化硅、氧化钙、氧化镁及三氧化二铝中的一种或几种的组合。

6.如权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述稀土氧化物为氧化镧、氧化铕、氧化钇及氧化镝中的一种或几种的组合。

7.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明衬底的材料为300nm～750nm的透光的材质。

8.如权利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述透明衬底为蓝宝石衬底。

9.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述透明衬底和所述外延层之间。

10.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述外延层包括依序叠置在所述透明衬底第一表面的N型层、发光层和P型层。

11.如权利要求10所述的LED芯片，其特征在于，所述发光层为激发紫外光或蓝紫光的多量子阱发光层。

12.如权利要求10所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极位于所述N型层上，所述第二电极位于所述P型层上。 

13.如权利要求12所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的材料为合金。

14.如权利要求13所述的LED芯片，其特征在于，所述外延层还包括透明导电层，所述透明导电层位于所述P型层和所述第二电极之间。

15.如权利要求12所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极的材料为金属。

16.如权利要求15所述的LED芯片，其特征在于，所述金属为铜。

17.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述外延层上还包括一绝缘层，所述绝缘层露出所述第一电极和所述第二电极，且所述绝缘层阻断所述第一电极和所述第二电极的电气连接。

18.如权利要求17所述的LED芯片，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅绝缘层。

19.如权利要求1～17所述的任一LED芯片的封装方法，其特征在于，所述LED芯片的后道封装工艺为倒装封装方式。

20.如权利要求19所述的LED芯片的封装方法，其特征在于，所述LED芯片在所述倒装封装时，在一基板上制作两个金属凸起，并将所述第一电极和所述第二电极与所述金属凸起键合。

21.一种制作LED芯片的方法，包括：

提供透明衬底，所述透明衬底包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；

在所述透明衬底的第一表面上制备外延层；

在所述外延层上制备第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极设置在所述外延层上，所述第一电极和所述第二电极用于对所述外延层施加电压；

在所述透明衬底的第二表面键合发光玻璃。

22.如权利要求21所述的制作LED芯片的方法，其特征在于，所述发光玻璃的材料为被紫外光或蓝紫光激发的材质。

23.如权利要求22所述制作LED芯片的方法，其特征在于，所述发光玻璃包含碱性氧化物和稀土氧化物。