[发明专利]CMOS图像传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201210229018.X | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN102738190A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 肖海波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制作方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器制作方法，其特征在于，包括：
提供硅衬底；
在所述硅衬底中形成隔离槽，使得在转移晶体管下产生垂直于沟道的张应力；
形成光电二极管和复位晶体管、转移晶体管、源跟随晶体管以及行选通晶体管。
2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器制作方法，其特征在于，所述在硅衬底中形成隔离槽包括：
在硅衬底上沉积保护层；
刻蚀形成隔离槽；
在所述隔离槽内侧沉积具有张应力的隔离膜；
填充所述隔离槽；
抛光。
3.如权利要求2所述的CMOS图像传感器制作方法，其特征在于，所述隔离膜为氮化硅。
4.如权利要求2所述的CMOS图像传感器制作方法，其特征在于，所述隔离膜厚度为50埃-300埃。
5.如权利要求2所述的CMOS图像传感器制作方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积法沉积所述隔离膜。
6.如权利要求2所述的CMOS图像传感器制作方法，其特征在于，所述在隔离槽内侧沉积具有张应力的隔离膜包括：
在刻蚀形成所述隔离槽后，通过高温氧化退火工艺，在所述隔离槽表面形成高温氧化层；
在所述高温氧化层表面沉积隔离膜。
7.如权利要求6所述的CMOS图像传感器制作方法，其特征在于，所述高温氧化层厚度为50埃-300埃。
8.如权利要求2所述的CMOS图像传感器制作方法，其特征在于，采用纯氢高密度等离子体填充或者高纵深比填充工艺对所述隔离槽进行填充。
9.一种CMOS图像传感器，至少包括光电二极管、转移晶体管，其特征在于，所述图像传感器还包括位于光电二极管背向转移晶体管一侧的隔离结构，所述隔离结构在转移晶体管下产生垂直于沟道方向的张应力。
10.如权利要求9所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述隔离结构包括隔离槽，以及在所述隔离槽表面的隔离膜。
11.如权利要求9所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述隔离结构包括隔离槽，在所述隔离槽表面的高温氧化膜以及在所述高温氧化膜表面的隔离膜。
12.如权利要求10或11所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述隔离膜为氮化硅层。
13.如权利要求10或11所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述隔离膜厚度为50埃-300埃。
14.如权利要求11所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述高温氧化层厚度为50埃-300埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
