[发明专利]一种二氧化钒薄膜的制备方法及其产品和应用有效
申请号: | 201210229768.7 | 申请日: | 2012-07-04 |
公开(公告)号: | CN102747325A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 黄章立;陈四海 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/34 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 朱仁玲 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 薄膜 制备 方法 及其 产品 应用 | ||
技术领域
本发明属于金属材料的镀覆技术领域,更具体地,涉及一种二氧化钒薄膜的制备方法及其相应的产品和应用。
背景技术
随着激光技术的迅猛发展和应用范围的不断扩大,现代战场的激光威胁无处不在,激光致盲武器已经成为干扰和破坏敌方红外系统的重要手段。因此如何对激光进行有效的防护已经成为一个非常重要,且具有重大意义的研究课题。传统的激光防护方式为利用线性光学原理来进行防护,然而该方式具备其局限性:因为器件只对入射光的波段敏感,在吸收该波段的强光的同时,也会反射该波段的弱光,也就是说,器件在阻止某一波长强激光破坏的同时,也阻止了该波长弱光的接收。然而,激光测距、激光制导和激光雷达等系统中保护光电传感器的激光防护镜,都要求在阻止敌方激光致盲武器破坏的同时,保证接收到自身发出的与敌方致盲激光波长相同的激光信号(弱激光)。因此,基于线性光学原理的激光防护已经不能满足需要。
二氧化钒作为一种热致相变化合物,单晶状态在68°C附近会呈现明显的金属-半导体相变特性。并且从低温半导体态相变到高温金属态的过程中,伴有明显的光学和电学性能的变化,其中红外光透过率可以从60%以上下降至10%以下。另外,二氧化钒薄膜的相变是热致的,因此当激光能量很强时,其巨大的能量使附着于器件表面的二氧化钒薄膜发生相变,阻止强激光进入防护镜破坏系统,与此同时,弱激光由于其能量不足以诱发二氧化钒薄膜的相变,可以保持高透过率。也就是说,用基于二氧化钒薄膜的激光防护器件可以在阻止某一波长强激光破坏的同时,保证接收到自身发出的与敌方致盲激光波长相同的弱激光信号。此外,二氧化钒薄膜的相应时间为10-11s,迟滞为1.3×10-9s,基于这些特点,使得二氧化钒薄膜在激光防护领域具有广泛的应用前景。
现有技术中用于制备二氧化钒薄膜的方法通常包括电子束蒸发镀膜、反应离子溅射、化学气象沉积和溶胶-凝胶方式等。当采用不同的制备方法在不同的衬底上制备二氧化钒薄膜时,所获得的成品无论在微观结构还是在其光学、电学和磁学特性都具备较大的差别。此外,二氧化钒薄膜的制备条件也非常苛刻,工艺条件不同时,所得到的薄膜成分和特性通常也会不同。当如上所述利用二氧化钒薄膜的自身特性而将其应用至激光防护领域时,考虑到应用场合的特殊性及特定要求,一方面需要所制备出的二氧化钒防护膜在微观结构上颗粒尺寸更为均匀、排列均匀,表面平整度更好,并且激光防护的可靠性、重复性高,这样才能够对防护对象提供更全面、安全的保护;另一方面,由于二氧化钒薄膜在激光防护过程中需要在阻止强激光破坏的同时,保证接收到自身发出的与敌方致盲激光波长相同的弱激光信号,这样必然要求防护产品具备相变性能优良、相变幅度相对较大等特点。有鉴于此,实践中迫切需要寻找一种新的制备二氧化钒薄膜的方法,以获得能够满足以上特定要求、并尤其适用于激光防护领域的二氧化钒薄膜产品。
发明内容
针对以上技术需求,本发明的目的在于提供一种二氧化钒的制备方法及其相应产品,其能够通过对沉积基材材料的选择及加工工艺参数的调整,相应在室温条件下即可获得相变性能优良、相变幅度大、薄膜颗粒大小一致、排列均匀且可靠性高的产品,因而特别适用于激光防护等方面的用途。
按照本发明的一个方面,提供了一种二氧化钒薄膜的制备方法,该制备方法包括:
(1)将蓝宝石作为基底并进行清洗,以去除其表面的油污、杂质颗粒及氧化膜;
(2)将清洗后的蓝宝石基底置于离子束镀膜机中并在20℃±5℃的室温条件下执行离子束溅射工艺,在此过程中首先对离子束镀膜机内部抽真空至低于5.0×10-6Torr,然后向其通入氩气和氧气以形成3.0×10-4~4.0×10-4Torr的工作压强,由此通过氩气电离后形成的氩气粒子对金属钒靶的轰击溅射出钒原子,并与所通入的氧气反应从而在蓝宝石基底上沉积形成二氧化钒薄膜;
(3)从离子束镀膜机取出沉积二氧化钒薄膜的蓝宝石基底,并在氮气保护氛围下执行退火处理,其中退火温度为420℃~490℃,退火时间为120~30分钟,退火后冷却由此获得最终产品。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210229768.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类