[发明专利]静电放电防护器件

权利要求书

1.一种静电放电防护器件，其特征是，包含：

一硅控整流器等效电路，包含一第一等效晶体管以及一第二等效晶体管；

一开关，电性耦接于所述的硅控整流器等效电路和一焊垫之间，其中当所述的开关导通时，正静电放电电荷所对应的静电放电电流自所述的焊垫经由所述的开关、所述的第一等效晶体管和所述的第二等效晶体管进行放电；以及

一控制电路，用以依据流经所述的开关、所述的第一等效晶体管和所述的第二等效晶体管的静电放电电流产生一控制电压以控制所述的开关关闭，其中当所述的开关关闭时，正静电放电电荷所对应的静电放电电流自所述的焊垫经由所述的第二等效晶体管进行放电。

2.如权利要求1所述的静电放电防护器件，其特征是，当流经所述的第二等效晶体管的静电放电电流改变而使得所述的控制电压据以改变至一定电压时，所述的开关自关闭状态回复至导通状态。

3.如权利要求1所述的静电放电防护器件，其特征是，所述的控制电路包含一等效电阻器，静电放电电流流经所述的等效电阻器使得所述的等效电阻器的一端产生所述的控制电压。

4.如权利要求1所述的静电放电防护器件，其特征是，所述的开关包含一晶体管，所述的控制电路包含一等效电阻器，所述的晶体管的一控制端电性耦接所述的等效电阻器的一第一端，所述的晶体管的一第一端电性耦接所述的焊垫，所述的晶体管的一第二端电性耦接所述的硅控整流器等效电路的一阳极。

5.如权利要求4所述的静电放电防护器件，其特征是，所述的第一等效晶体管为一等效PNP型晶体管，所述的第二等效晶体管为一等效NPN型晶体管，所述的等效PNP型晶体管的一基极电性耦接所述的焊垫，所述的等效PNP型晶体管的一射极电性耦接所述晶体管的所述第二端，所述的等效NPN型晶体管的一基极和一射极电性耦接所述的等效电阻器的所述第一端。

6.如权利要求1所述的静电放电防护器件，其特征是，所述的开关包含一金属氧化物半导体场效应晶体管、一双载子接面晶体管以及一可变电阻器中至少一者。

7.一种半导体器件，其特征是，包含：

一硅控整流器等效电路，包含一等效PNP型双载子接面晶体管以及一等效NPN型双载子接面晶体管；

一开关，所述的开关的一第一端电性耦接一焊垫和所述的等效PNP型双载子接面晶体管的一基极，所述的开关的一第二端电性耦接所述的等效PNP型双载子接面晶体管的一射极；以及

一控制电路，所述的控制电路的一第一端电性耦接所述的等效NPN型晶体管的一射极以及所述的开关的一控制端，所述的控制电路的一第二端电性耦接一低位准电压。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征是，所述的开关包含一晶体管，所述的控制电路包含一等效电阻器，所述的等效电阻器的一第一端电性耦接所述的晶体管的一控制端以及所述的等效NPN型晶体管的所述基极和所述射极，所述等效电阻器的一第二端电性耦接所述低位准电压。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征是，所述晶体管为一金属氧化物半导体场效应晶体管或一双载子接面晶体管。

10.如权利要求7所述的半导体器件，其特征是，所述的开关包含一金属氧化物半导体场效应晶体管、一双载子接面晶体管以及一可变电阻器中至少一者。

11.如权利要求7所述的半导体器件，其特征是，所述的控制电路的所述第一端依据流经所述开关、所述等效PNP型双载子接面晶体管和所述等效NPN型双载子接面晶体管的静电放电电流而产生一控制电压，所述开关依据所述控制电压关闭。