[发明专利]基板清洁腔室以及清洁与调节方法

权利要求书

1.一种从一或多个基板除去材料的工艺，包括：

(a)在处理室中从第一批基板中的每个基板除去一定量材料，其中从第一批中的每个基板除去材料在所述处理室的内部表面上形成了第一处理残余物；

(b)通过从调节基板的表面溅射材料，在所述第一处理残余物上方沉积包含调节材料的调节层，所述调节材料不同于从所述第一批中的基板除去的材料；以及

(c)在处理室中从第二批基板中的每个基板除去一定量材料，其中从第二批中的每个基板除去材料在所述调节层上方形成了第二处理残余物。

2.如权利要求1所述的工艺，还包括在移除上面形成有所述内部表面的工艺套组之前，顺序地重复步骤(b)和(c)至少10次。

3.如权利要求1所述的工艺，其中所述调节基板包括含硅基板，所述含硅基板具有位于表面上方的材料层，其中所述调节材料包括金属。

4.如权利要求1所述的工艺，其中所述调节材料包括铝或钛。

5.如权利要求1所述的工艺，其中从所述第一批基板除去的材料包括氮化硅。

6.如权利要求1所述的工艺，其中从所述第一批基板除去的材料包括聚酰亚胺。

7.如权利要求6所述的工艺，其中所述调节材料包括金属。

8.如权利要求1所述的工艺，还包括：

通过从所述调节基板的表面溅射材料，在所述第二处理残余物上方沉积额外的包含调节材料的调节层，其中所述调节材料包括铝或钛。

9.如权利要求1所述的工艺，其中所述第一处理残余物具有至少约1微米的厚度。

10.如权利要求1所述的工艺，其中所述调节层具有至少约500埃的厚度。

11.如权利要求1所述的工艺，其中步骤(a)包括通过传送双频电功率到清洁气体，在所述处理室中激发所述清洁气体，所述双频电功率包括至少约1∶2的第一频率与第二频率的功率比，所述第一频率小于所述第二频率。

12.如权利要求11所述的工艺，其中所述第一频率是13.5MHz。

13.如权利要求11所述的工艺，其中所述第二频率是60MHz。

14.如权利要求1所述的工艺，其中步骤(a)还包括设定顶电极与基板支撑件之间的间隙，其中在步骤(a)期间在第一批产物基板中为经处理的每个基板设定所述间隙。

15.一种从一或多个基板除去材料的工艺，包括：

(a)在处理室中通过溅射从第一批基板中的每个基板除去一定量材料，其中从第一批中的每个基板除去一定量材料在所述处理室的内部表面上形成了包含硅的第一处理残余物；

(b)通过从位于调节基板的表面上的层溅射材料，在所述第一处理残余物上方沉积包含铝或钛的调节层；以及

(c)在处理室中通过溅射从第二批基板中的每个基板除去一定量材料，其中从第二批中的每个基板除去一定量材料在所述调节层上方形成了包含硅的第二处理残余物。

16.如权利要求15所述的工艺，还包括在移除上面形成有所述内部表面的工艺套组组件之前，顺序地重复步骤(b)和(c)至少10次。

17.如权利要求15所述的工艺，其中所述调节基板包括含硅基板，所述含硅基板具有位于表面上方的材料层，其中所述材料层包含铝。

18.如权利要求15所述的工艺，其中所述处理残余物包括氮化硅。

19.如权利要求15所述的工艺，其中所述处理残余物还包括聚酰亚胺。

20.如权利要求15所述的工艺，其中从所述第一批和所述第二批中的每个基板除去一定量材料各自还包括通过传送双频电功率到清洁气体来激发所述清洁气体，所述清洁气体位于所述处理室中。

21.如权利要求20所述的工艺，其中传送所述双频电功率包括以约13.5MHz的第一频率传送第一数量的电功率和以约60MHz的第二频率传送第二数量的电功率。

22.如权利要求15所述的工艺，其中步骤(a)还包括设定轮廓顶电极与基板支撑件之间的间隙，其中在步骤(a)期间在第一批产物基板中为经处理的每个基板设定所述间隙。