[发明专利]非挥发性记忆装置中的位线的检测方法

说明书

技术领域

本发明关于一种检测方法，更特别的是关于一种非挥发性记忆装置中的位线的检测方法。

背景技术

非挥发性记忆装置中，因半导体工艺技术上的缺陷，往往可能造成位线的断裂或与邻近的位线发生短路等的情况。例如：随着非挥发性记忆装置尺寸的微缩，相邻两位线会相当接近，也因此极易在工艺中产生位线接触窗与相邻位线过于接近导致的不当短路现象。

因此，在非挥发性记忆装置中，验证操作是必要的，以确认电荷是藉由程序化操作而适当地射入至内存胞元中。非挥发性记忆装置通常藉由验证操作程序来进行测试，以确认本体是否具有缺陷，然而验证操作程序通常较为冗长且耗时，往往一个缺陷的确认需要好几回的反复测试才可完成，造成耗时的缺点。

发明内容

本发明目的之一在于提出一种减少位线检测时间的检测方法。

为达上述目的及其它目的，本发明的非挥发性记忆装置中的位线的检测方法中，该非挥发性记忆装置包含有一记忆胞元数组及横跨该记忆胞元数组的复数字元线，每一该等位线具有第一端及第二端，该等位线被区分为第一群组及第二群组，该检测方法包含以下步骤：自该等位线之的第一端，对该第一群组位线施予供应电压以进行充电程序且该第二群组位线系被施予接地电压；关闭对该第一群组位线之的充电程序，且自该等位线的第二端对该等位线施予接地电压以进行放电程序；根据该第一群组位线具有之的电压位准决定该第一群组下之的每一位线之状态，其中当位线之的电压位准非为接地电压时代表该位线具有开路毁损；自该等位线之的第二端，对该第二群组位线施予供应电压以进行充电程序，且自该等位线之的第一端对该第一群组位线施予接地电压以进行放电程序；关闭对该第一群组位线之的放电程序；及根据该第一群组位线具有之的电压位准决定该第一群组下之每一位线之的状态，其中当位线之的电压位准非为接地电压时代表该位线系与相邻之的位线短路而具有短路毁损。

于一实施例中，该第一群组位线为奇数位线或偶数位线，该第二群组位线相对于该第一群组位线而为偶数位线或奇数位线。

于一实施例中，该等位线的第一端接收该非挥发性记忆装置之一页面缓冲电路施予的电压，以及该位线是否具有开路毁损的信息记录于该页面缓冲电路中。

于一实施例中，上述方法还包含将第一群组位线与第二群组位线互换并重复检测方法的步骤，进一步地完成所有位线的检测。

通过本发明，可以快速地检测出第一群组位线是否具有开路或短路毁损，而不用经过冗长的程序化/抹除程序。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

附图1为本发明一实施例中位线的检测方法流程图；

附图2为非挥发性记忆装置的结构示意图；

附图3为本发明一实施例中位线状态的示例图。

附图标号

100           非挥发性记忆装置

110           记忆胞元数组

120           页面缓冲电路

130           位线选择电路

140           字符线选择电路

160           控制电路

T             上端

B             下端

BL            位线

PB            页面缓冲器

WL            字符线

S101~S111     步骤

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

为充分了解本发明之目的、特征及功效，兹藉由下述具体实施例，并配合所附图式，对本发明做一详细说明，说明如后：