[发明专利]半导体检测装置、半导体检测系统及检测衬底温度的方法有效
申请号: | 201210229884.9 | 申请日: | 2012-07-04 |
公开(公告)号: | CN103531495A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 马悦;宋涛;黄占超;何川;袁刚;侯俊立;奚明 | 申请(专利权)人: | 理想能源设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 检测 装置 系统 衬底 温度 方法 | ||
1.一种半导体检测装置,其应用于半导体处理设备中,所述半导体处理设备包括反应腔体,所述反应腔体包括腔体部件且所述反应腔体内设置有用以支撑衬底的支撑座,所述支撑座设置有用以定位所述衬底的若干腔体,其特征在于:所述半导体检测装置固定于所述反应腔体的腔体部件上,所述半导体检测装置能够获知所述衬底的位置,并能够通过运动的方式对所述衬底进行检测。
2.如权利要求1所述的半导体检测装置,其特征在于:所述半导体检测装置具有探测器,所述探测器设置于一个运动机构上从而使所述探测器能够通过运动的方式对所述衬底进行检测。
3.如权利要求2所述的半导体检测装置,其特征在于:所述半导体检测装置具有衬底位置反馈单元,以将所述衬底的位置反馈给所述探测器。
4.如权利要求1所述的半导体检测装置,其特征在于:所述反应腔体为MOCVD反应腔体,所述支撑座包括旋转驱动机构以驱动所述支撑座旋转。
5.如权利要求2所述的半导体检测装置,其特征在于:所述运动机构包括导轨及能够在该导轨上直线运动的滑台,所述探测器位于所述滑台上且与所述滑台一起运动。
6.如权利要求5所述的半导体检测装置,其特征在于:所述导轨为滚珠丝杠,所述运动机构还设有用以驱动滚珠丝杠的电机,所述滑台安装于滚珠丝杠上且能够通过该电机来控制探测器的直线运动。
7.如权利要求6所述的半导体检测装置,其特征在于:所述电机安装于滚珠丝杠的一端,所述运动机构还包括安装于滚珠丝杠另一端且用以支撑滚珠丝杠的支撑块。
8.如权利要求5所述的半导体检测装置,其特征在于:所述导轨为直线轴承,所述滑台安装于直线轴承上,所述运动机构还设有用以控制所述滑台移动的推动气缸。
9.如权利要求8所述的半导体检测装置,其特征在于:所述运动机构还包括滚珠丝杠,所述推动气缸安装于滚珠丝杠的一端,所述滑台连接于滚珠丝杠,所述推动气缸直接驱动滚珠丝杠并通过滚珠丝杠来带动所述滑台移动。
10.如权利要求8所述的半导体检测装置,其特征在于:所述运动机构还包括若干定位所述滑台的电磁限位器。
11.如权利要求2所述的半导体检测装置,其特征在于:所述半导体检测装置还包括跟随运动机构一起运动的反射部件,所述反射部件用以将衬底表面的热量反射回去。
12.如权利要求11所述的半导体检测装置,其特征在于:所述反射部件为滑板式反射板组,其包括若干层叠设置的反射板。
13.如权利要求12所述的半导体检测装置,其特征在于:所述探测器设有探测头,所述腔体部件设有面对衬底且供探测头进行检测的通道,无论探测头运动到哪个位置,所述反射板始终是全面展开的。
14.如权利要求11所述的半导体检测装置,其特征在于:所述反射部件为卷轴式反射膜,所述卷轴式反射膜在运动机构的运动过程中始终处于展开状态。
15.如权利要求11所述的半导体检测装置,其特征在于:所述半导体检测装置还设有位于反射部件下方且用以密封该反应腔体的透明密封窗。
16.如权利要求2所述的半导体检测装置,其特征在于:所述运动机构包括旋转轴及能够绕该旋转轴旋转的旋转臂,所述探测器设置于该旋转臂上。
17.如权利要求2所述的半导体检测装置,其特征在于:所述腔体部件为盒状,其包括气体喷淋板、位于所述气体喷淋板上方的腔体顶壁及面对所述衬底且供探测器进行检测的若干通道,其中每一个通道包括上下贯穿所述气体喷淋板的第一检测窗及贯穿所述腔体顶壁的第二检测窗,所述第一检测窗与第二检测窗在竖直方向上是连通的,所述第二检测窗在腔体顶壁的顶部形成一个口径变大的石英窗,所述石英窗用以定位密封单元。
18.如权利要求2所述的半导体检测装置,其特征在于:所述探测器仅为一个且用以测量衬底表面的温度。
19.如权利要求2所述的半导体检测装置,其特征在于:所述探测器设有探测头,所述探测头能够在该反应腔体内运动或者在该反应腔体外运动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造