[发明专利]光学过渡层材料、光学基板/封装层、OLED及各自制法有效
申请号: | 201210230664.8 | 申请日: | 2012-07-04 |
公开(公告)号: | CN102751447A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 何剑;张色冯;苏君海;柯贤军 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 曹志霞 |
地址: | 516600 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 过渡 材料 封装 oled 各自 制法 | ||
1.一种光学过渡层材料,其特征在于,包括有机材料主体和无机纳米颗粒;所述有机材料主体的可见光透过率高于预设第一可见光透过率预设值,折射率接近或大于基板/封装层的折射率;所述无机纳米颗粒的可见光透过率高于预设第二可见光透过率预设值,吸光率低于吸光率预设值;所述无机纳米颗粒作为散射介质,弥散分布于所述有机材料主体之中。
2.如权利要求1所述的光学过渡层材料,其特征在于,所述有机材料主体的材料为有机硅树脂、环氧或亚克力。
3.如权利要求1所述的光学过渡层材料,其特征在于,所述无机纳米颗粒的材料为宽带隙半导体材料或绝缘体材料。
4.如权利要求3所述的光学过渡层材料,其特征在于,所述无机纳米颗粒的材料为SiO2、MgO、MgF2、TiO2、ZnO、Al2O3或ZrO2中的至少一种。
5.如权利要求1所述的光学过渡层材料,其特征在于,所述无机纳米颗粒的表面以聚合物偶联剂进行修饰。
6.如权利要求5所述的光学过渡层材料,其特征在于,所述聚合物偶联剂为KH550、KH560或KH570。
7.如权利要求1~6任一项所述的光学过渡层材料,其特征在于,所述无机纳米颗粒的质量含量为0.05%~20%。
8.一种光学过渡层材料制法,其特征在于,包括:获取有机材料主体和作为散射介质的无机纳米颗粒,其中有机材料主体的可见光透过率高于预设第一可见光透过率预设值、折射率接近或大于基板/封装层的折射率,无机纳米颗粒的可见光透过率高于预设第二可见光透过率预设值、吸光率低于吸光率预设值;将无机纳米颗粒作为散射介质,弥散分布于有机材料主体之中。
9.如权利要求8所述的光学过渡层材料制法,其特征在于,选取有机硅树脂、环氧或亚克力作为有机材料主体的材料。
10.如权利要求所述8的光学过渡层材料制法,选取宽带隙半导体材料或绝缘体材料作为无机纳米颗粒的材料。
11.如权利要求8所述的光学过渡层材料制法,其特征在于,选取SiO2、MgO、MgF2、TiO2、ZnO、Al2O3或ZrO2中的至少一种作为无机纳米颗粒的材料。
12.如权利要求所述8的光学过渡层材料制法,其特征在于,通过聚合物偶联剂,预先对无机纳米颗粒的表面进行修饰。
13.如权利要求12所述的光学过渡层材料制法,其特征在于,选取KH550、KH560或KH570作为聚合物偶联剂。
14.如权利要求12所述的光学过渡层材料制法,其特征在于,对无机纳米颗粒的表面进行饰的步骤包括:将聚合物偶联剂加入溶剂中并加热至预设温度完全溶解,得到聚合物偶联剂溶液;将无机纳米颗粒加入聚合物偶联剂溶液中;搅拌并分散无机纳米颗粒,使无机纳米颗粒与聚合物偶联剂充分接触,实现聚合物偶联剂对无机纳米颗粒的完全包覆;清洗及干燥,得到表面修饰后的无机纳米颗粒。
15.如权利要求14所述的光学过渡层材料制法,其特征在于,通过机械方式进行搅拌,同时利用超声振动分散无机纳米颗粒,使无机纳米颗粒与聚合物偶联剂充分接触,实现聚合物偶联剂对无机纳米颗粒的完全包覆。
16.如权利要求14所述的光学过渡层材料制法,其特征在于,用无水乙醇和去离子水清洗,真空干燥后获得表面修饰后的无机纳米颗粒。
17.如权利要求14所述的光学过渡层材料制法,其特征在于,溶剂为乙醇或甲苯。
18.如权利要求14所述的光学过渡层材料制法,其特征在于,聚合物偶联剂溶液中,聚合物偶联剂的重量含量为0.3%~3%。
19.如权利要求8所述的光学过渡层材料制法,其特征在于,通过机械搅拌和/或超声振动将无机纳米颗粒均匀弥散分布于有机材料主体之中,之后置入真空腔内除气。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择