[发明专利]具有图形化结构的铌酸锂衬底及其制造方法

权利要求书

1.一种具有图形化结构的铌酸锂衬底的制造方法，所述铌酸锂衬底用于制备LED芯片，其特征在于，所述方法包括：

步骤1：提供一表面平坦的铌酸锂衬底，在所述铌酸锂衬底表面制作一掩膜图形；

步骤2：以所述掩膜图形为掩膜，采用氟基等离子体对掩膜图形及所述铌酸锂衬底进行同步刻蚀；

步骤3：采用氧等离子体对所述铌酸锂衬底进行刻蚀，以清除形成在所述铌酸锂衬底上的氟化锂颗粒；

步骤4：多次重复步骤2至步骤3，直至所述掩膜图形全部消失；

步骤5：继续采用氟基等离子体刻蚀所述铌酸锂衬底，在所述铌酸锂衬底表面形成氟化锂颗粒，以形成具有图形化结构的铌酸锂衬底，所述图形化结构的表面具有纳米粗糙结构。

2.如权利要求1所述的具有图形化结构的铌酸锂衬底的制造方法，其特征在于，所述铌酸锂衬底采用铌酸锂晶体制作而成。

3.如权利要求1所述的具有图形化结构的铌酸锂衬底的制造方法，其特征在于，在步骤5之后，所述图形化结构由圆锥形、多棱锥形、圆台形、柱形或不规则图形中的任何一种或几种的阵列排列形成。

4.如权利要求1所述的具有图形化结构的铌酸锂衬底的制造方法，其特征在于，所述掩膜图形的材料为金属或非金属。

5.如权利要求4所述的具有图形化结构的铌酸锂衬底的制造方法，其特征在于，所述金属为镍或铬中的任何一种。

6.如权利要求4所述的具有图形化结构的铌酸锂衬底的制造方法，其特征在于，所述非金属为二氧化硅，或为氮化硅，或为氮氧化硅，或为光刻胶。

7.如权利要求1所述的具有图形化结构的铌酸锂衬底的制造方法，其特征在于，所述掩模图形的俯视截面由圆形、扇形、多边形及不规则图形中的任何一种或几种的阵列排列形成。

8.如权利要求1所述的具有图形化结构的铌酸锂衬底的制造方法，其特征在于，所述氟基等离子体为由含氟元素的气体辉光放电产生的高密度等离子体。

9.如权利要求8所述的具有图形化结构的铌酸锂衬底的制造方法，其特征在于，所述含氟元素的气体为六氟化硫、三氟甲烷和四氟化碳中的任何一种或多种。

10.如权利要求9所述的具有图形化结构的铌酸锂衬底的制造方法，其特征在于，所述氟基等离子体刻蚀采用的含氟元素的气体为四氟化碳，四氟化碳的流量为40sccm-80sccm，电感耦合等离子体源功率为300瓦-600瓦，射频功率为250瓦-350瓦，腔室压力为10豪托-30豪托，衬底温度设定为0度-20度，刻蚀时间为3分钟-5分钟。

11.如权利要求1所述的具有图形化结构的铌酸锂衬底的制造方法，其特征在于，所述氧等离子体为由含氧元素的气体辉光放电产生的高密度等离子体。

12.如权利要求11所述的具有图形化结构的铌酸锂衬底的制造方法，其特征在于，所述氧等离子体刻蚀采用的含氧元素的气体为氧气，氧气的流量为20sccm-40sccm，电感耦合等离子体源功率为300瓦-600瓦，射频功率为0瓦-100瓦，腔室压力为10豪托-20豪托，衬底温度设定为0度-20度，刻蚀时间为30秒-50秒。

13.一种具有图形化结构的铌酸锂衬底，所述具有图形化结构的铌酸锂衬底用于制备LED芯片，其特征在于，所述具有图形化结构的铌酸锂衬底由如权利要求1至12中任一项所述的制造方法制造形成，所述铌酸锂衬底表面具有图形化结构，且所述图形化结构的表面具有纳米粗糙结构。

14.如权利要求13所述的具有图形化结构的铌酸锂衬底，其特征在于，所述图形化结构由圆锥形、多棱锥形、圆台形、柱形或不规则图形中的任何一种或几种的阵列排列形成。

15.如权利要求13所述的具有图形化结构的铌酸锂衬底，其特征在于，所述铌酸锂衬底采用铌酸锂晶体制作而成。