[发明专利]一种纳米图形化系统及其光响应特性检测装置

权利要求书

1.一种纳米图形化系统的光响应特性检测装置，用于纳米图形化系统在微米和纳米图形化器件微加工和探测中，实时和原位探测微米和纳米图形化材料或器件的光响应特性，其特征在于，包括光发射器、导入光纤、光探测器、CCD成像设备和精密传导光纤，所述光发射器通过所述精密传导光纤与所述导入光纤连接，所述光探测器通过所述精密传导光纤与所述CCD成像设备连接，所述导入光纤及所述光探测器均对应于所述纳米图形化系统的样品台设置于所述纳米图形化系统的真空腔内，所述导入光纤用于将所述光发射器发出的光束导入至所述样品台的样品上，所述光探测器用于采集所述样品的反射光，所述光探测器相对于所述导入光纤设置以采集所述样品的反射光。

2.如权利要求1所述的纳米图形化系统的光响应特性检测装置，其特征在于，还包括光谱仪，所述光谱仪通过所述精密传导光纤与所述光探测器连接。

3.如权利要求2所述的纳米图形化系统的光响应特性检测装置，其特征在于，还包括电极探针，所述电极探针通过电极探针臂与电压源或电流源连接，所述电极探针与所述样品分别具有一连接位置和一断开位置，所述电极探针与所述样品在连接位置时组成闭合电路。

4.如权利要求3所述的纳米图形化系统的光响应特性检测装置，其特征在于，所述电极探针臂与所述导入光纤和/或所述光探测器分别通过结合器安装在所述真空腔内，所述结合器用于控制所述导入光纤和/或所述光探测器及所述电极探针臂的运动和定位。

5.如权利要求4所述的纳米图形化系统的光响应特性检测装置，其特征在于，所述结合器包括固定架及安装在所述固定架上的光纤滑轨、驱动电机及传动机构，所述电极探针臂安装在所述固定架上，所述导入光纤安装在所述光纤滑轨上，所述光纤滑轨通过所述传动机构与所述驱动电机连接。

6.如权利要求3所述的纳米图形化系统的光响应特性检测装置，其特征在于，所述电极探针为四路电极探针，所述四路电极探针的一对探针与所述电压源连接，所述四路电极探针的另一对探针与所述电流源连接。

7.如权利要求1、2、3、4、5或6所述的纳米图形化系统的光响应特性检测装置，其特征在于，还包括用于会聚所述样品的反射光的球面镜，所述球面镜设置在所述纳米图形化系统的电子束枪下方且与所述光探测器的距离小于所述球面镜的焦半径，所述球面镜上设置有微米级小孔以保证电子束穿过所述球面镜对所述样品进行微加工和/或成像。

8.一种纳米图形化系统，包括电源、控制装置和测量装置，所述控制装置与所述测量装置连接，所述控制装置和所述测量装置分别与所述电源连接，所述测量装置包括电子束枪、真空腔、真空系统、样品台和光响应特性检测装置，所述真空系统与所述真空腔连接，所述电子束枪及样品台均设置在所述真空腔内，所述电子束枪对应于所述样品台设置，其特征在于，所述光响应特性检测装置为上述的权利要求1～6任意一项所述的纳米图形化系统的光响应特性检测装置。

9.一种纳米图形化系统，包括电源、控制装置和测量装置，所述控制装置与所述测量装置连接，所述控制装置和所述测量装置分别与所述电源连接，所述测量装置包括电子束枪、真空腔、真空系统、样品台和光响应特性检测装置，所述真空系统与所述真空腔连接，所述电子束枪及样品台均设置在所述真空腔内，所述电子束枪对应于所述样品台设置，其特征在于，所述光响应特性检测装置为上述的权利要求7所述的纳米图形化系统的光响应特性检测装置。

10.如权利要求9所述的纳米图形化系统，其特征在于，所述测量装置还包括宽频信号测试分析装置，所述宽频信号测试分析装置包括信号传输装置，所述信号传输装置对应于所述样品台设置，所述信号传输装置包括高频探针臂和/或低频探针臂、探针臂移动机构和探针，所述高频探针臂和/或低频探针臂与所述探针臂移动机构连接，所述探针安装在所述高频探针臂和/或低频探针臂的前端，所述电极探针臂分别与所述高频探针臂和/或低频探针臂集成于一体。