[发明专利]互连中铜表面处理的方法在审
| 申请号： | 201210232058.X | 申请日： | 2012-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103531530A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 邓浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 表面 处理 方法 | ||
1.一种互连中铜表面的处理方法，包括：
形成具有铜互连线的互连结构；
通入六氢化锗和/或四氢化锗气体，并激发形成六氢化锗和/或四氢化锗等离子体以在所述铜互连线表面形成第一密封层；
利用氨气进行等离子体处理，以将至少一部分所述第一密封层氮化形成第二密封层；
在所述互连结构表面形成刻蚀阻挡层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通入六氢化锗和/或四氢化锗气体，并激发形成六氢化锗和/或四氢化锗等离子体以在所述铜互连线表面形成第一密封层的步骤包括：通入六氢化锗和/或四氢化锗气体，六氢化锗和/或四氢化锗气体的流量为500至1500sccm，并在3至8Torr的压力及300至400℃的温度下，通过400至800W的射频功率激发形成六氢化锗和/或四氢化锗的等离子体。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一密封层的材料为锗化铜。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用氨气进行等离子体处理的步骤包括：通入氨气及氮气的混合气体，所述氮气作为载气，所述混合气体中氨气的体积比为2%至50%，氨气的流量为1500至2000sccm，氮气的流量为500至900sccm，并在2至10Torr的压力及300至500℃的温度下，通过100至500W的射频功率激发形成氨气等离子体。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二密封层的材料为氮锗化铜。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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