[发明专利]LED外延片及其制作方法

权利要求书

1.一种LED外延片，包括：

衬底；

图形层，所述图形层具有纳米凸起图形，所述纳米凸起图形之间具有空隙间隔，所述图形层设置于所述衬底上；

外延层，所述外延层设置在所述图形层上。

2.如权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述纳米凸起图形的横截面形状为三角形、多边形或圆形。

3.如权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述纳米凸起图形的宽度为0.05um-0.8um，高度为1um-10um，所述纳米凸起图形之间的空隙间隔的宽度为0.5um-5um。

4.如权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述纳米凸起图形的顶部具有平台。

5.如权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述外延层采用横向外延法生长。

6.如权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底、碳化硅衬底、硅衬底、氮化镓衬底或氧化锌衬底。

7.如权利要求1所述的LED外延片，其特征在于，所述外延层的材料包括氮化镓基材料、磷化镓基材料、镓氮磷基材料及氧化锌基材料中的一种或几种的组合。

8.如权利要求1至7中任意一项所述的LED外延片，其特征在于，所述LED外延片用于制备平面结构LED芯片、不需要剥离的垂直结构LED芯片或需要剥离的垂直结构LED芯片。

9.如权利要求8所述的LED外延片，其特征在于，所述LED外延片用于制备平面结构LED芯片或不需要剥离的垂直结构LED芯片，所述图形层的材料包含碳化硅、氮化镓、氧化锌、硫化锌、氧化镁、二氧化钛及氧化铝的一种或几种的组合。

10.如权利要求8所述的LED外延片，其特征在于，所述LED外延片用于制备需要剥离的垂直结构LED芯片，所述图形层的材料包含氧化锌、硫化锌及氧化镁的一种或几种的组合。

11.如权利要求8所述的LED外延片，其特征在于，所述LED外延片用于制备需要剥离的垂直结构LED芯片，在制备需要剥离的垂直结构LED芯片时，利用化学湿法腐蚀所述LED外延片的图形层，以实现所述衬底与所述外延层的分离。

12.一种制作LED外延片的制作方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上制备图形层，所述图形层具有纳米凸起图形，所述纳米凸起图形之间具有空隙间隔；

在所述图形层上制备外延层。

13.如权利要求12所述的LED外延片，其特征在于，所述纳米凸起图形的横截面形状为三角形、多边形或圆形。

14.如权利要求12所述的LED外延片，其特征在于，所述纳米凸起图形的宽度为0.05um-0.8um，高度为1um-10um，所述纳米凸起图形之间的空隙间隔的宽度为0.5um-5um。

15.如权利要求12所述的LED外延片，其特征在于，所述纳米凸起图形的顶部具有平台。

16.如权利要求12所述的LED外延片的制作方法，其特征在于，所述图形层通过沉积工艺直接形成，所述沉积工艺为化学气相沉积或者物理气相沉积工艺沉积。

17.如权利要求16所述的LED外延片的制作方法，其特征在于，通过控制纵向和横向生长速度比，在所述图形层的纳米凸起图形顶部出现平台。

18.如权利要求12所述的LED外延片的制作方法，其特征在于，所述图形层的形成过程包括：

先通过沉积工艺在形成所述纳米凸起图形前先形成膜层，所述沉积工艺为化学气相沉积或者物理气相沉积工艺沉积；以及

在所述膜层上制备所述纳米凸起图形，得到所述图形层。

19.如权利要求18所述的LED外延片的制作方法，其特征在于，通过电子束光刻技术在所述膜层上制备所述纳米凸起图形。

20.如权利要求12所述的LED外延片的制作方法，其特征在于，所述外延层采用横向外延法生长。

21.如权利要求12所述的LED外延片的制作方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底、碳化硅衬底、硅衬底、氮化镓衬底或氧化锌衬底。