[发明专利]一种增加永磁电机用瓦形磁体抗压强度的方法有效

专利信息
申请号: 201210232628.5 申请日: 2012-07-06
公开(公告)号: CN102738974A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 卢杨成;赵国法 申请(专利权)人: 浙江凯文磁钢有限公司
主分类号: H02K15/00 分类号: H02K15/00;H01F41/02
代理公司: 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 代理人: 郑文涛
地址: 322105 *** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 增加 永磁 电机 用瓦形 磁体 抗压强度 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于磁性材料领域,具体是一种增加永磁电机用瓦形磁体抗压强度的方法。      

背景技术

铁氧体磁性材料在物理特性上和陶瓷材料一样,具有脆的特点。随着永磁铁氧体在汽车电机中应用越来越大,越来越严格,电机在加工和使用过程中,由于温度变化产生热胀冷缩,加之磁体和电机其他部件热膨胀系数的较大差异,所以永磁铁氧体磁体会承受来自电机钢套以及转子铁芯和线圈非常大的应力。除电机设计师如何处理好热膨胀冷缩应力矛盾外,如何进一步提高磁性材料的抗压强度也是十分重要的因素和机理。

用于永磁直流电机中的瓦形磁体,其磁性能和机械强度均受到其内部微结构影响。如生成铁氧体时晶粒大小、晶粒破损程度,制造的原材料粒径大小。原材料粒径分布的散差,生成铁氧体晶粒的散差。制造产品过程中,生成密度、烧结过程中受温、时间及均匀性等等。对产品的机械特性,会产生影响。如果产品中组织密度不均匀,组织松散,密度低,会有杂质,材料中粗细颗粒散差,产品抗压强度会受到影响。

 

发明内容

为了解决上述技术问题,本发明提供了一种增加永磁电机用瓦形磁体抗压强度的方法。

一种增加永磁电机用瓦形磁体抗压强度的方法,其特征在于将瓦形磁体装在耐火缽中或直接装在耐火材料承烧板上,进行升温、保温和降温操作。

所述的一种增加永磁电机用瓦形磁体抗压强度的方法,其特征在于所述升温操作按照如下方法进行:0—1小时,温度从室温逐渐升温到70℃;1—2小时,温度从70℃逐渐升温到150℃;2—3小时,温度从150℃逐渐升温到225℃;3—4小时,温度从225℃逐渐升温到300℃;4—5小时,温度从300℃逐渐升温到450℃;5—6小时,温度从450℃逐渐升温到675℃;6—7小时,温度从675℃逐渐升温到950℃±10℃。

所述的一种增加永磁电机用瓦形磁体抗压强度的方法,其特征在于所述保温操作是在氧化气氛中保温1小时。

所述的一种增加永磁电机用瓦形磁体抗压强度的方法,其特征在于所述降温操作按照如下方法进行:0—20分钟,温度从950℃±10℃逐渐降温到650℃;20—40分钟,温度从650℃逐渐降温到520℃;40—60分钟,温度从520℃逐渐降温到440℃;60—80分钟,温度从440℃逐渐降温到375℃;80—100分钟,温度从375℃逐渐降温到300℃;100—120分钟,温度从300℃逐渐降温到240℃;120—140分钟,温度从240℃逐渐降温到215℃。

本发明的一种增加永磁电机用瓦形磁体抗压强度的方法,可以在保持磁性能无明显变化的同时,填补了产品晶粒之间的空隙,增加了机械强度,从而提高磁体的抗压机械特性。

附图说明

图1是本发明的一种增加永磁电机用瓦形磁体抗压强度的方法的升温曲线图;

图2是本发明的一种增加永磁电机用瓦形磁体抗压强度的方法的降温曲线图。

具体实施方式

实施例

将瓦形磁体装在耐火缽中或直接装在耐火材料承烧板上,先按照升温曲线进行升温,0—1小时,温度从室温逐渐升温到70℃;1—2小时,温度从70℃逐渐升温到150℃;2—3小时,温度从150℃逐渐升温到225℃;3—4小时,温度从225℃逐渐升温到300℃;4—5小时,温度从300℃逐渐升温到450℃;5—6小时,温度从450℃逐渐升温到675℃;6—7小时,温度从675℃逐渐升温到950℃,然后在950℃在氧化气氛中保温1小时,然后按照降温曲线进行降温,0—20分钟,温度从950℃±10℃逐渐降温到650℃;20—40分钟,温度从650℃逐渐降温到520℃;40—60分钟,温度从520℃逐渐降温到440℃;60—80分钟,温度从440℃逐渐降温到375℃;80—100分钟,温度从375℃逐渐降温到300℃;100—120分钟,温度从300℃逐渐降温到240℃;120—140分钟,温度从240℃逐渐降温到215℃。

取3块磁瓦,分别按照上述方法进行升温、保温和降温操作,分别测量操作前和操作后的抗压强度,结果如表1所示。

表1 磁瓦抗压强度操作前后对比表

结果显示,本发明可以大幅度提高磁瓦的抗压强度。

以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均包含在本发明的保护范围之内。

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