[发明专利]一种高频低噪声氮化镓基高电子迁移率晶体管结构

权利要求书

1.一种高频低噪声氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括从下往上依次层叠的衬底、位于衬底之上的氮化铝成核层、位于氮化铝成核层之上的氮化镓缓冲层，其特征在于，所述氮化镓缓冲层之上还依次层叠有用于改善器件界面粗糙程度的铟镓氮插入层、用于提高势垒的氮化铝插入层、铝镓氮隔离层，铝镓氮电子提供层，铝镓氮势垒层和分别与铝镓氮势垒层欧姆连接的源极、栅极和漏极。

2.根据权利要求1所述的一种高频低噪声氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，所述铝镓氮势垒层之上，源极和漏极之间，栅极之下的区域还层叠有氮化硅钝化层。

3.根据权利要求2所述的一种高频低噪声氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，所述栅极采用可以降低栅极接触电阻的T形槽栅结构，T形槽栅结构的下部贯穿氮化硅钝化层的槽与铝镓氮势垒层欧姆连接。

4.根据权利要求2所述的一种高频低噪声氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，所述铝镓氮势垒层的槽深度及宽度随势垒层的厚度变化而变化，槽深度最优值为势垒层厚度的五分之一。

5.根据权利要求1所述的一种高频低噪声氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，所述铟镓氮插入层的厚度在1~6nm之间，所述铟镓氮插入层8中铟原子占铟镓合金原子总数的0.5%~5%。

6.根据权利要求1所述的一种高频低噪声氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，氮化铝插入层的厚度在0.2nm~2nm之间。

7.根据权利要求1至6任一项所述的一种高频低噪声氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，为了改善器件的源极和漏极与铝镓氮势垒层4的欧姆接触，在这两个电极（源极和漏极）正下方的铝镓氮材料区域（即源极和漏极下方对应的铝镓氮势垒层、铝镓氮电子提供层、铝镓氮隔离层的区域)进行N型重掺杂。