[发明专利]在半导体衬底中形成接地硅通孔有效
| 申请号： | 201210232986.6 | 申请日： | 2012-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102867777A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 谢棋君;吴伟诚;颜孝璁;胡宪斌;侯上勇;郑心圃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 形成 接地 硅通孔 | ||
1.一种形成半导体器件的方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一面和与所述第一面相对的第二面；
形成硅通孔TSV开口，所述硅通孔开口从所述半导体衬底的所述第一面延伸到所述半导体衬底中；
在所述半导体衬底的所述第一面上并沿着所述TSV开口的侧壁和底部形成衬垫层；
在位于所述开口中的所述衬垫层上方沉积第一导电材料层，从而形成TSV；
在所述半导体衬底的所述第一面的上方形成层间介电ILD层；
形成通孔开口，所述通孔开口从所述ILD层延伸到所述半导体衬底的一部分中；
在所述ILD层中形成沟道开口，从而暴露所述TSV的一部分；以及
在所述通孔和所述沟道开口中沉积第二导电材料层，从而形成互连结构，所述互连结构将所述TSV与所述半导体衬底电连接。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成半导体器件包括形成中介层。
3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在形成所述TSV的步骤以后，平整化所述半导体衬底的所述第一面。
4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述衬垫层和所述TSV之间形成第一阻挡层。
5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：在所述第一阻挡层和所述TSV之间形成第一种子层。
6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述半导体衬底的所述第一面的上方形成所述ILD层的步骤以前，形成蚀刻停止层。
7.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述通孔和所述沟道开口的上方形成第二阻挡层。
8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：在所述第二阻挡层的上方形成第二种子层。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，通过电化学电镀形成所述互连结构。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述TSV和所述互连结构包括：形成由铜或铜合金所制成的结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210232986.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
