[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210233023.8 | 申请日： | 2012-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN103531670A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 陈滨全;张超雄;林新强 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管制造方法，该制造方法包括步骤：
提供金属基板，该金属基板包括第一表面与第二表面，该第一表面开设凹槽形成固晶区与打线区，固晶区与打线区通过凹槽隔开，固晶区内具有凹陷；
在该凹陷内设置LED芯片并通过导线电连接打线区；
形成封装层覆盖固晶区及打线区；
去除金属基板位于封装层下方避开固晶区及打线区的部分，使固晶区与打线区分离。
2.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于：该金属基板包括第一金属层与第二金属层，该第二金属层设置于该第一金属层上并形成该隔开的固晶区与打线区。
3.如权利要求2所述的发光二极管制造方法，其特征在于：蚀刻该第一金属层与该第二金属层，于固晶区上形成该凹陷，于该固晶区与该打线区之间形成凹槽。
4.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于：该封装层包括填满该凹陷的荧光粉层。
5.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于：形成封装层覆盖固晶区及打线区的步骤之后还包括设置第三金属层于该基板第二表面的步骤。
6.如权利要求5所述的发光二极管制造方法，其特征在于：该第三金属层与该金属基板由相同材质制成，且该第三金属层的厚度大于该金属基板位于固晶区及打线区之外的部分的厚度。
7.如权利要求5所述的发光二极管制造方法，其特征在于：利用湿式蚀刻法蚀刻该第三金属层与金属基板避开固晶区及打线区的部分。
8.如权利要求4所述的发光二极管制造方法，其特征在于：该荧光粉层掺有荧光粉，该荧光粉层先形成于该凹陷中，该封装层再形成覆盖该固晶区。
9.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于：包括二打线区，该二打线区分布于该固晶区的两侧。
10.一种发光二极管，包括反射杯、第一电极与第二电极、封装层、设置于该反射杯中的LED芯片以及电连接该LED芯片与该第一电极、第二电极的导线，其特征在于：该反射杯与该第一电极、第二电极相离设置，该封装层连接该反射杯与该第一电极、第二电极的顶部。
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