[发明专利]侧光式发光二极管的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体结构，尤其涉及一种具有折射层的侧光式发光二极管的形成方法。

背景技术

相比于传统的发光源，发光二极管（Light Emitting Diode，LED）具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点，其作为一种新型的发光源，已经被越来越多地应用到各领域当中，如路灯、交通灯、信号灯、射灯及装饰灯等。

现有的侧光式发光二极管的制作方法，一般地，在发光二极管芯片的出光面设置有反射层，以将发光二极管芯片发出的光反射至侧边出射。然而，发光二极管芯片发出的光线经过反射层时，部分光线容易穿过反射层，而无法被反射至侧边出射，从而降低了发光效率。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种发光效率高的侧光式发光二极管的形成方法。

一种侧光式发光二极管的制作方法，其包括：

提供一个模具，该模具包括一凸出部，该凸出部内形成一个收容空间，该凸出部上开设有将收容空间与外部连通的一个开口；；

在该模具的内表面上形成一反射层；

提供一个板状的折射胶带，该折射胶带的端部延伸至位于该模具的凸出部的边缘；

通过该凸出部的开口抽真空以吸取该折射胶带，直至该折射胶带吸附于该反射层上，以形成一折射层；

提供一个基板，该基板上设置有至少两个发光二极管芯片，将形成有折射层的该模具设置在该基板上，该至少两个发光二极管芯片收容于该收容空间内；

向该收容空间内注入封装胶，且固化该封装胶，以形成封装层；

去除该模具；

切割该基板、封装层、折射层以及反射层，以形成至少两个侧光式发光二极管。

该侧光式发光二极管的制造方法，通过抽真空吸取形成有折射层。该发光二极管芯片发出的光部分被折射层直接折射至侧边出射，部分透过该折射层的光线再经过该反射层反射，然后再通过折射层折射至侧边出射，从而可提高该侧光发光二极管的出光效率。并且，该折射层通过真过抽真空吸取的方式形成，其可形成薄且均匀的折射层。

下面参照附图，结合具体实施方式对本发明作进一步的描述。

附图说明

图1到图10为本发明实施方式提供的侧光式发光二极管的制作方法的剖面流程图。

主要元件符号说明