[发明专利]干式高压聚丙烯薄膜金属箔式电容器浸渍工艺

权利要求书

1.干式高压聚丙烯薄膜金属箔式电容器浸渍工艺，采用下述步骤：

（1）向装配好电容芯子的电容器中高真空浸渍低温二芳基乙烷绝缘油，浸渍温度50-60℃，真空度≤1×10^-3mmHg，浸渍时间24小时以上；

（2）浸渍完成后，将电容器倒置，沥出低温二芳基乙烷绝缘油；

（3）采用有机硅凝胶GN-503作为浸渍剂，进行低真空浸渍，浸渍温度不高于30℃,真空度≤1×10^-2mmHg，浸渍时间24小时以上；

（4）浸渍完成后，常压85-95℃固化至少6小时；

（5）采用环氧树脂封装电容器。

2.如权利要求1所述干式高压聚丙烯薄膜金属箔式电容器浸渍工艺，其特征在于：所述步骤（1）中，高真空浸渍前，将装配好电容芯子的电容器进行干燥处理。

3.如权利要求1所述干式高压聚丙烯薄膜金属箔式电容器浸渍工艺，其特征在于：所述步骤（1）中，高真空浸渍前，将低温二芳基乙烷绝缘油进行真空处理至油耐压不低于50KV/2.5mm，处理温度85-95℃，真空度≤1×10^-3mmHg。

4.如权利要求1所述干式高压聚丙烯薄膜金属箔式电容器浸渍工艺，其特征在于：所述步骤（3）中，低真空浸渍前，将有机硅凝胶GN-503进行干燥处理。