[发明专利]多功能输入终端

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，其包含；

一个终端；

一个第一电流源，其有第一节点和第二节点；

一个N沟道场效应晶体管，其有源极、栅极和漏极，其中所述N沟道场效应晶体管的漏极连接到第一电流源的第二个节点上，且其中源极连接到终端上。

一个P沟道场效应晶体管，其有源极、栅极和漏极，其中所述P沟道场效应晶体管的源极连接到终端；

一个第二电流源，其有第一节点和第二节点，其中第二电流源的第一节点接到所述P沟道场效应晶体管的漏极；

一个偏置网络，其给所述N沟道场效应晶体管的栅和所述P沟道场效应晶体管的栅极偏置一个直流电压；和

数字解码电路，其第一输出连接到所述N沟道场效应晶体管的漏极和第二输入连接到所述P沟道场效应晶体管漏极。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其中第一电流源能够提供第一电流I1，其中第二电流源能够提供第二电流I2，以及其中如果终端是悬空的，那么所述N沟道场效应晶体管导通比第一电流I1小的电流且所述P沟道场效应晶体管导通比第二电流I2小的电流。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其特征在于，其另外还包含一个电源电压终端，其中如果终端通过集成电路外部的电路连接到电源电压终端，那么；1）所述N沟道场效应晶体管几乎完全不导通，2）所述P沟道场效应晶体管导通比第二电流I2大的电流。

4.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，其中第二电流源不是一个理想的电流源，且其中如果使所述P沟道场效应晶体管导通比第二电流I2大的电流，那么所述P沟道场效应晶体管漏极上的电压升高，反之如果使所述P沟道场效应晶体管导通比第二电流I2小的电流，那么所述P沟道场效应晶体管漏极上的电压降低。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，其另外还包含：

一个可编程电流源，其输出一个电流，其中电流的幅值取决于连接到终端的电阻的阻值，其中此电阻是在集成电路的外部。

6.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于，其另外还包含：

一个地终端，且其中如果终端通过集成电路的外部电路短接到地终端，那么可编程电流源将自动地停止。