[发明专利]底部源极的功率器件及制备方法有效
申请号: | 201210234845.8 | 申请日: | 2012-07-09 |
公开(公告)号: | CN103545268A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 薛彦迅;何约瑟;哈姆扎·耶尔马兹;鲁军;石磊;赵良;黄平 | 申请(专利权)人: | 万国半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/495;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 美国加利福尼亚州*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 底部 功率 器件 制备 方法 | ||
1.一种底部源极的功率器件,其特征在于,包括:
一金属基座单元,所述金属基座单元包含彼此分隔开的第一基座和第二基座,及分别设置在第一基座两侧的第三、第四基座;
一倒装设置在第一、第二基座上的初级封装结构,设置在所述初级封装结构正面的多个焊接凸块分别焊接在第一、第二基座上;
一设置在所述初级封装结构上方的桥形金属片,所述桥形金属片包含顶部金属片及连接在顶部金属片两侧并向下弯折的侧部金属片;
其中,位于顶部金属片两侧的所述侧部金属片分别延伸至设置在第三基座顶部的凹槽内和设置在第四基座顶部的凹槽内,及位于所述初级封装结构背面的底部金属层通过导电材料焊接在所述顶部金属片的底面上;
一将所述金属基座单元、初级封装结构、桥形金属片予以包覆的塑封体,其中,第一、第三、第四基座各自的底面均从所述塑封体的底面予以外露。
2.如权利要求1所述的底部源极的功率器件,其特征在于,所述初级封装结构包含有一芯片及覆盖在芯片正面的顶部塑封层,多个焊接凸块分别相对应的焊接于设置在所述芯片正面的多个金属焊盘上;并且
所述顶部塑封层包覆在所述焊接凸块侧壁的周围,从而任意一个所述的焊接凸块均从所述顶部塑封层中予以外露;以及
所述底部金属层设置在所述芯片的背面。
3.如权利要求2所述的底部源极的功率器件,其特征在于,所述第二基座位于所述第三基座和所述第四基座之间或位于第三基座的延长线和第四基座的延长线之间。
4.如权利要求1所述的底部源极的功率器件,其特征在于,所述第二基座包含一个厚度小于第一基座厚度的并被包覆在塑封体内的延伸结构,和一个与该延伸结构连接在一起的外部引脚,所述外部引脚位于第四基座沿纵向的延长线上;
其中,所述延伸结构向初级封装结构的下方横向延伸直至与一部分设置在初级封装结构正面的焊接凸块在垂直方向上交叠。
5.如权利要求4所述的底部源极的功率器件,其特征在于,所述初级封装结构包含有一个芯片,多个焊接凸块分别相对应的焊接于设置在芯片正面的多个金属焊盘上,多个金属焊盘中至少包含构成芯片第一电极的金属焊盘和构成芯片第二电极的金属焊盘;
其中,连接于构成第一电极的金属焊盘上的焊接凸块焊接在第一基座的顶面上,连接于构成第二电极的金属焊盘上的焊接凸块与延伸结构在垂直方向上交叠并焊接在该延伸结构上。
6.如权利要求4所述的底部源极的功率器件,其特征在于,接触第四基座的侧部金属片沿纵向的宽度,小于顶部金属片沿纵向的宽度,以避免接触第四基座的侧部金属片触及到第二基座。
7.如权利要求1所述的底部源极的功率器件,其特征在于,在所述顶部金属片中设置有从顶部金属片的底面凹陷至顶部金属片内的一个或多个槽体结构。
8.如权利要求1所述的底部源极的功率器件,其特征在于,在所述顶部金属片的底面上设置有多个凸出于顶部金属片底面的垫块结构,所述垫块结构位于所述底部金属层与所述顶部金属片的底面之间。
9.如权利要求1所述的底部源极的功率器件,其特征在于,在所述顶部金属片两侧的与侧部金属片的拐角连接处,均形成有从顶部金属片的顶面向下凹陷的长条状凹槽。
10.如权利要求5所述的底部源极的功率器件,其特征在于,所述底部金属层设置在芯片的背面并构成其第三电极,并且所述芯片为MOSFET,其第一电极为源极、第二电极为栅极、第三电极为漏极。
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