[发明专利]太阳电池组件、太阳电池片及其制造方法在审
申请号: | 201210234847.7 | 申请日: | 2012-07-09 |
公开(公告)号: | CN103545385A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 吴坚;王栩生;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨林洁 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳电池 组件 及其 制造 方法 | ||
1.一种太阳电池片,包括接收辐照的正面、与所述正面相对的背面及由正面贯通至背面的贯穿孔,所述正面设有贯通所述贯穿孔并延伸至背面的第一电极,所述背面至少设有一与所述第一电极极性相反的极性面和第二电极,
其特征在于:
所述太阳电池片分为至少两个一体连接且相邻设置的子区域,所述两相邻子区域之间设有绝缘区;
所述每个子区域内第一电极经所述贯穿孔延伸至背面且越过所述绝缘区而与相邻子区域背面的极性面或第二电极电性连接,形成相邻两子区域的串联。
2.如权利要求1所述的太阳电池片,其特征在于,所述两个子区域分别为第一子区域及与第一子区域相邻设置的第二子区域,所述每一子区域内设有所述第一电极、及与所述第一电极极性相反的极性面,所述第一子区域内第一电极设有越过所述绝缘区并与第二子区域内极性面电性连接的内联第一电极。
3.如权利要求1所述的太阳电池片,其特征在于,所述两个子区域分别为第一子区域及与第一子区域相邻设置的第二子区域,所述每一子区域内设有所述第一电极及与所述第一电极极性相反的第二电极,所述第一子区域内第一电极设有越过所述绝缘区并与所述第二子区域内第二电极电性连接的内联第一电极。
4.如权利要求2或3所述的太阳电池片,其特征在于,所述太阳电池片背面设有第一导电件,所述第一导电件电性连接各子区域内第一电极。
5.如权利要求4所述的太阳电池片,其特征在于,所述第一导电件的延伸方向垂直于所述绝缘区。
6.如权利要求4所述的太阳电池片,其特征在于,所述第一导电件设有两条相对设置的外接第一导电件、以及连接所述两条外接第一导电件的中转第一导电件,所述外接第一导电件与中转第一导电件构成U型。
7.如权利要求6所述的太阳电池片,其特征在于,所述外接第一导电件平行于所述绝缘区。
8.如权利要求2或3所述的太阳电池片,其特征在于,所述第二子区域内设有与内联第一电极相对的外接第一电极,所述太阳电池片包括第二导电件,所述第二子区域中外接第一电极通过所述第二导电件电性连接。
9.如权利要求8所述的太阳电池片,其特征在于,所述第二导电件的延伸方向垂直或平行于所述绝缘区。
10.如权利要求8所述的太阳电池片,其特征在于,所述第二导电件包括两条相对设置的外接第二导电件以及连接所述两条外接第二导电件的中转第二导电件。
11.如权利要求10所述的太阳电池片,其特征在于,所述外接第二导电件平行于所述绝缘区。
12.一种太阳电池组件,包括至少两个相互串联且相邻设置的太阳电池片,其特征在于:所述每一太阳电池片包括用于接收辐照的正面、与所述正面相对的背面、由正面贯穿至背面的贯穿孔以及若干位于所述正面、背面和贯穿孔内电极,所述太阳电池片设有相邻设置且串联连接的第一子区域和第二子区域,所述第一子区域和所述第二子区域之间设有一绝缘区。
13.如权利要求12所述的太阳电池组件,其特征在于,所述第一子区域与所述第二子区域内均设有第一电极、及与所述第一电极极性相反的极性面或第二电极,所述第一子区域的第一电极自太阳电池片的正面经由所述贯穿孔贯穿至背面并且越过所述绝缘区而与所述第二子区域内极性面或第二电极串联连接。
14.如权利要求13所述的太阳电池组件,其特征在于,所述相邻设置的两个太阳电池片各自的摆放方向相对于彼此呈180度旋转。
15.如权利要求14所述的太阳电池组件,其特征在于,所述太阳电池片的第二电极与相邻太阳电池片的第一电极位于同一直线上。
16.一种太阳电池片的制造方法,包括对硅片进行如下加工步骤:打孔、制绒、扩散、去除磷硅玻璃、镀氮化硅、印刷孔内电极及与孔内电极连接的背面电极、印刷背电场、印刷正面电极、烧结;
其特征在于:
所述硅片的加工步骤中还包括对硅片的正面进行分区绝缘处理,该分区绝缘处理在扩散后进行或者在烧结后进行;
所述分区绝缘处理采用激光划断或化学腐蚀的方式断开由扩散而形成于硅片正面的PN结,以将硅片分成至少两个一体连接且绝缘隔离的子区域,然后,在两相邻子区域之间镀氮化硅以构成一位于两相邻子区域之间的绝缘区;
印刷所述背面电极时,将子区域的背面电极印刷至相邻子区域内并与相邻子区域形成串联连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司,未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210234847.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的