[发明专利]负载开关、用于对负载进行开关的方法和负载开关系统无效

专利信息
申请号: 201210235158.8 申请日: 2012-07-09
公开(公告)号: CN103001612A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: N·孙 申请(专利权)人: 快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司
主分类号: H03K17/08 分类号: H03K17/08
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 武晨燕;张颖玲
地址: 215021 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 负载 开关 用于 进行 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种负载开关,其特征在于,包括:

输入端口,其连接到电压源;

输出端口,其连接到负载;

真反向电流阻断(TRCB)电路,其连接到所述输入端口和所述输出端口;以及

开关控制端口,其连接到所述TRCB电路,其中所述TRCB电路被配置成响应于施加到所述开关控制端口的开关闭合信号而将所述输入端口连接到输出端口,并且所述TRCB电路被配置成响应于施加到所述开关控制端口的开关断开信号而将所述输入端口与所述输出端口断开,并且其中所述TRCB电路进一步被配置成响应于所述开关断开信号和所述开关闭合信号两者而阻断从所述输出端口流向所述输入端口的电流。

2.根据权利要求1所述的负载开关,其中所述TRCB电路进一步被配置成响应于在所述输出端口处检测到大于在所述输入端口的电压的电压而将所述输入端口与所述输出端口断开。

3.根据权利要求1所述的负载开关,进一步包括:连接在所述开关控制端口和地之间的齐纳二极管,所述齐纳二极管被配置成为所述负载开关提供静电放电保护。

4.根据权利要求1所述的负载开关,其中所述TRCB电路包括具有减小的阻抗的MOSFET,所述具有减小的阻抗的MOSFET被配置成增加负载开关的电流容量,其中所述减小的阻抗小于25mΩ。

5.根据权利要求1所述的负载开关,其中所述开关闭合信号是范围为1到2伏特的通用输入/输出(GPIO)信号。

6.根据权利要求1所述的负载开关,其中所述TRCB电路包括滞后逻辑,所述滞后逻辑被配置成减少响应于信号噪声而发生的开关事件。

7.根据权利要求1所述的负载开关,其中所述电压源是电池。

8.一种用于对负载进行开关的方法,其特征在于,包括:

将负载开关的输入端口连接到电压源;

将所述负载开关的输出端口连接到所述负载;

将真反向电流阻断(TRCB)电路连接到所述输入端口和所述输出端口;

将所述TRCB电路配置成响应于开关闭合信号而将所述输入端口连接到所述输出端口;

将所述TRCB电路配置成响应于开关断开信号而将所述输入端口与所述输出端口断开;以及

将所述TRCB电路配置成响应于所述开关断开信号和所述开关闭合信号两者而阻断从所述输出端口流向所述输入端口的电流。

9.根据权利要求8所述的方法,进一步包括:将所述TRCB电路配置成响应于在所述输出端口处检测到大于在所述输入端口的电压的电压而将所述输入端口与所述输出端口断开。

10.根据权利要求8所述的方法,进一步包括:将齐纳二极管连接在所述负载开关的开关控制端口与地之间,所述齐纳二极管被配置成为所述负载开关提供静电放电保护。

11.根据权利要求8所述的方法,进一步包括:将所述TRCB电路配置成包括具有减小的阻抗的MOSFET,所述具有减小的阻抗的MOSFET被配置成增加负载开关电流容量,其中所述减小的阻抗小于25mΩ。

12.根据权利要求8所述的方法,其中所述开关闭合信号是范围为1到2伏特的通用输入/输出(GPIO)信号。

13.根据权利要求8所述的方法,进一步包括:将所述TRCB电路配置成包括滞后逻辑,所述滞后被配置成减少响应于信号噪声而发生的开关事件。

14.一种负载开关系统,其特征在于,包括:

电压源;

负载,其被配置成接收功率;以及

负载开关,其被配置成基于开关控制信号选择性地将所述电压源连接到所述负载,所述负载开关包括:

输入端口,其连接到所述电压源;

输出端口,其连接到所述负载;以及

真反向电流阻断(TRCB)电路,其连接到所述输入端口和所述输出端口,其中所述TRCB电路被配置成响应于表示闭合信号的所述开关控制信号而将所述输入端口连接到所述输出端口,并且所述TRCB电路被配置成响应于表示断开信号的所述开关控制信号而将所述输入端口与所述输出端口断开,并且其中所述TRCB电路进一步被配置成响应于所述断开信号和所述闭合信号两者而阻断从所述输出端口流向所述输入端口的电流。

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